"إنتل" تزيح الستار عن تقنية حديثة لصناعة الرقائق في العالم

كشفت شركة "إنتل" عن عدة اختراقات تقنية دمجتها الشركة في عملياتها الجديدة التي تعتمد تقنية 90نانومتر (90-nanometer (nm))، وهي عملية تصنيع أشباه المواصلات الأكثر تطورا المطبقة في قطاع الرقائق حاليا. وقد استخدمت "إنتل" هذه العملية لتصنيع وحدات سيليكونية ورقائق ذاكرة قياسية، وستعمد "إنتل" إلى تطبيق هذه العملية على نطاق واسع خلال العام القادم لتصنيع اعداد كبيرة من هذه المنتجات باستخدام رقائق ذات 300مم.
تجمع عملية الـ 90نانومتر (النانوميتر يساوي1/مليار من المتر) الجديدة هذه ما بين الاداء الأعلى والترانزيستورات ذات الطاقة الأقل والسيليكون المشدود والموصلات النحاسية عالية السرعة ومادة جديدة عازلة للكهرباء ذات معدل k منخفض. وهذه هي المرة الأولى التي تدمج فيها كل هذه التقنيات في عملية تصنيع واحدة.
هذا وتعمل "إنتل" منذ أكثر من عشر سنين على تطوير قطاع صناعة الرقائق بطرحها جيل جديد من عمليات التصنيع كل عامين، حسب توقعات "نظام مور" "Moore's Law". وتعتبر عملية التسعين نانوميتر بمثابة الجيل التالي بعد عملية , 130مايكرون التي تستخدمها "إنتل" حاليا لتصنيع الجزء الأكبر من أشباه الموصلات التي تنتجها الشركة.
وقد استخدمت "إنتل" في شهر فبراير عمليتها ذات التسعين نانومتر لتصنيع رقاقات SRAM الأعلى سعة في العالم بمعدل 52ميغابت (قادرة على تخزين 52مليون خانة فردية من المعلومات). وتحتوي هذه الرقائق على 330مليون ترانزيستور مركب على مساحة لا تتجاوز الـ 109مليمتر مربع - بحجم الاظفر تقريبا.
وتعتمد هذه الرقائق أيضا حجم خلية SRAM حيث يبلغ مايكرونا مربعا واحدا فقط. ويذكر ان حجم كرة الدم الحمراء هو أكبر بمائة مرة من حجم هذه الخلية.
كما تسمح خلايا SRAM الصغيرة بدمج ذاكرات البيانات المخبئة الأكبر حجما في المعالجات مما يسهم في تعزيز ادائها. وقد تم تصنيع أشباه الموصلات هذه في مختبر تقنيات 300مم التابع لـ"إنتل" (المسمى DIC) في مدينة هلزبورو في ولاية أوريغون الأميركية حيث طورت هذه العملية.

منقول