المشاركة الأصلية كتبت بواسطة | Fusion |
و عشان نفهم "دقة التصنيع" بمعناها الصحيح:
الترانزيستور هو وحدة بناء اي نظام رقمي, و من امثلة الانظمة الرقمية هو المعالج, و بالتالي
فالترانزيستور هو وحدة بناء المعالج, و المعالج الواحد, يتكون من ملايين ال Transistors..
طيب, ماذا نعني عندما نقول دقة التصنيع مثلا 45nm؟, الشكل الآتي هيوضح الامور اكتر:
اللي في الصورة دا شكل مبسط لترانزيستور واحد من الملايين الموجودين داخل المعالج, و السهم الاحمر دا بيمثل الممر او القناة او ال Channel اللي بيعدي فيها التيار الكهربي عبر الترانزيستور من ال S او ال Source الى ال D او ال Drain,
طول السهم الأحمر دا هو المقصود بدقة التصنيع, يعني دلوقتي طول السهم دا في معالجات انتل الاخيرة هو 45نانومتر, و التيار الكهربي مش مسموح له يعدي غير عبر القناة دي فقط..
و بالتالي, كلما قل عرض القناة في الترانزيستور الواحد, كلما قل حجم الترانزيستور نفسه, كلما استطعت ان املا نفس مساحة البروسيسور او نفس مساحة ال Silicon Wafer بعدد اكبر من الترانزيستورز, و بالتالي تحصل على المميزات التي ذكرها الأخ يزن, و اهمها انه الطاقة اللي محتاجها عشان اشغل ترانزيستور حجمه صغير اكيد اقل من الطاقة اللي هحتاجها لتشغيل ترانزيستور بحجم اكبر, و بالتالي وفرت في الطاقة + وفرت في تكلفة التصنيع الكلية..
و من اهم الاسباب التي تعيق الانتقال لتقنيات تصنيع اقل من ذلك, هو التيار المتسرب عبر الترانزيستور الواحد, و عشان نفهم الجزئية دي اكتر,
تخيل بقا انهم كل شوية بيقعدوا يقللوا في طول السهم دا, ممكن ايه اللي يحصل؟!
ال S و ال D لما يبداوا يقربوا من بعضهم اوي بالطريقة دي, ممكن بعض من التيار اللي ماشي في الاتجاه الطبيعي (اتجاه السهم الاحمر) ينحرف لمسار تاني في اي اتجاه غير اتجاهه الطبيعي او في عكس الاتجاه لاسباب علمية بحتة يطول شرحها, و بالتالي هيعمل خلل في عمل الترانزيستورز و بالتالي خلل و عدم ثبات في اداء المعالج ككل..
عشان كدا انتل لما انتقلت الى 45nm, غيروا تصميم الترانزيستور نفسه, عشان يتفادوا مشكلة التيار المتسرب + يخلوا معالجاتهم تقدر توصل لترددات عالية بدون مشاكل في الثبات..
المفضلات