(خبر) بدء تسرب الأخبار عن الجيل القادم من الذواكر DDR4

[CR@N$H]

ذكر موقع XBITlab في خبر له عن تسرب بعض المعلومات حول الجيل الجديد من الذواكر
حيث ذكر أن مجال التردد الخاص لها سيكون من 2133Mhzإلى 4266Mhz
المقالة الكامله هنا
حيث تشير الأخبار إلى محاولة الإعتماد على جهد مرجعي 1.1 أو 1.2 فولط وستكون دقة التصنيع لشرائح الذاكرة بين 32 أو 36 نانومتر وسيبدا الإنتاج التجاري في بداية عام 2012 ستبدأ النماذج الأولية بالظهور عام 2011

[nero&dante]

شكرا اخي
جاري قراءة المقالة كاملة
في الحقيقة كنت على وشك طرح موضوع للسؤال عن هذا الجيل من الرام

[ehab7bob]

شكرا جزيلا

[shaker3]

الارتقاء بأداء الحاسوب يجري على قدم وساق وبوتيرة مرتفعة لطالما كانت سرعات الذواكر بطيئة تناسبا مع سرعة المعالجات لكن هذا الجيل القادم من الذواكر يعني ان جميعنا علينا لحين ذلك الوقت تغيير العتاد بالكامل تقريبا لاقتنائها هذا يعني تكلفة مخيفة بالاضافة لسعر الذواكر نفسها
شكرا على الخبر

[CR@N$H]

اظن أن مثل هذا الخبر قد يدفع مصممي المعالجات إلى التمهل قليلا في الإصدارات القادمة لتضمين متحكمات حديثة تدعمها
وهذه الذواكر قد يؤدي إلى إلغاء عمل الذاكرة Cache

[nero&dante]

^^^^^
لا اعتقد اخي
وجود الذاكرة امر مهم مهما بلغت سرعة الذاكرة
هل من الممكن ان تعود المعالجات الى ما بدات به بدون كاش ؟

[S@M]

واو ....

4000 MHz ...تردد !!!

وكمان واضح انها سوف تعمل مع الجيل الجديد من سوكيت المعالج 2011 ..واللى من المحتمل ان ينزل اوزل العام القادم

وهتكون السلسلة دى بتدعم كواد تشانل !!!

يعنى ترددات عالية + كواد تشانل ...= معدل نقل بيانات مهول :ah7:

شكرا يا عزيزى على الخبر

[CR@N$H]

أخ حسن كانت مهمة الكاش حل وسط لتراجع سرعة الذواكر مقابل سرعة المعالج ولكن في حال أصبح التردد الفعلي متساوي "أقصد متساوي أن تكون قدرة الذاكرة تقديم البيانات المطلوبه للمعالج لدى كل نبضة ساعه" فلن يكون هناك حاجة للحل الوسطي للسرعة Cache

مشكورين على المرور يا شباب

[ameen93]

شكرا اخي على الموضوع

بس اني برايي انه اذا فدسنتين لازم نبدل حاسبة كاملة فهذا عين الخبال و ايضا اكبر حرام
يعني اني حاسبتي كلفتني1250دولار يعني اقل شي فد ثلاث سنوات الى اربعة يلة اطور
و رايكو ايه؟؟؟:D
ابن خالي لحد الان على معالج dual coreصارلة اربع سنين و رام 2جيجا 533 وبورد فوكسكون 915 و كارت شاشة 9500(هو يطور بس كارت شاشة:D) ولحد الان يلعب جميع العبات على الميديوم و لم تقف بوجهه لعبة!!!

[FrenzyBear]

يبدو ان رقائق الذاكرة ستكون اقل سماكة...
يعني تكلفة أقل :cool:
لكن ال DIMMS ستكون اكثر تعقيداً

شكرا على الموضوع الجميل

[Extreme2]

مشكور على الخبر ..
المقال لم يذكر شيئ عن التواقيت .

[DBZ-Lover]

مشكور على الخبر اخ كرنش
وبنسبة لي انا ما صلي اكثر من شهرين ومغير الجهاز اغيره كمان؟
لا اتوقع اني اجيبها

[CR@N$H]

أخ سام لا أعتقد أن المقبس سيكون داعم للذواكر في البدايه لانها لن تظهر بشكل تجاري كشرائح RAM قبل ال2012 أما
عام 2011 ممكن أن نشاهد شرائح الذاكره فقط وهذا الكلام في حال لم يحدث أي خلل في عملية التطوير
أخ FrenzyBear كلامك صحيح وخاصة أنهم سيعملون على موضوع الMultilayer داخل الWafer الواحد مما سيزيد كثافة الذاكرة بشكل كبير "الكثافه تعبر عن مقدار الذاكرة التي تحويها الwafer الموجودة داخل الشريحة الواحده"
أخ نواف أظن أنه من المبكر قليلا التحدث عن التواقيت
أخ DBZ-Lover لا تهتم فالموضوع مازال مبكر للحديث عن بدأ التحديث
اخ نواف سؤال خارجي "هل الصورة الرمزية لديك حقيقة أم عمل على برامج التصميم لانه من فترة صديق لي قام بعمل مشابه باستخدام الة خفر باليزر"

[Hameedo]

شكرا علي الخبر أخي Cransh

سوف تكون هذه الذواكر أفضل لخدمة تطبيقات الخوادم وقواعد البيانات الضخمة وتحرير العروض المرئيّة ، فما يزال استخدام الحاسوب المنزلي بعيد عن الحد الأقصي لعرض تبادل البيانات بين الذاكرة والمُعالج .

اظن أن مثل هذا الخبر قد يدفع مصممي المعالجات إلى التمهل قليلا في الإصدارات القادمة لتضمين متحكمات حديثة تدعمها
وهذه الذواكر قد يؤدي إلى إلغاء عمل الذاكرة Cache

ليس بعد ، ما تزال هناك مشكلة أزمان التأخير Latency العالية جدا في ذواكر المكثّفات العشوائية مقارنة بذواكر الترانزيستور المُخبأة ، بالاضافة الي أحتياج ذواكر المكثُفات الي الانعاش المُستمر Refresh .

المشكلة أيضا أن الذواكر العشوائية تعمل بترددات حقيقية منخفضة جدا ، فمثلا ذاكرة DDR3 بتردد 1600MHz ، تعمل في الحقيقة بتردد 200MHz فقط ، لكن مُعدّل استخراجها للبيانات يساوي 8 بت في كل تردد ، مقارنة بـ4 بت في ذواكر DDR2 ، و 2 بت في ذواكر DDR1 .

نتيجة لهذا ، لا تتعامل الذواكر العشوائية مع كل البيانات بسرعات متساوية ، فبيانات العناوين Addresses و بيانات التحكم والساعة تصل بالتردد الحقيقي فقط !

[شلاع العتر]

The next-generation DDR4 SDRAM memory will bring rather ultimate performance improvements to both desktops and laptops as well as servers and workstations. But the new performance heights will demand a rather radical change to topology of memory sub-system.
At a recent MemCon conference in Tokyo, Japan, Bill Gervasi, vice president of engineering at US Modular and a member of the JEDEC board of directors, revealed that the target effective clock-speeds for DDR4 memory would be 2133MHz - 4266MHz, an increase from previously discussed frequencies. Apparently, JEDEC and memory manufacturers decided that the progress of DDR3 leaves no space for DDR4 data rates below 2133Mb/s.
The designers of DDR4 memory are looking forward 1.2V and 1.1V voltage settings for the new memory type and are even considering 1.05V option to greatly reduce power consumption of the forthcoming systems. It is expected that manufacturers of dynamic random access memory (DRAM) will have to use advanced fabrication technology to make the DDR4 chips. The first chips are likely to be made using 32nm or 36nm process technologies.
At present JEDEC expects to finalize the DDR4 specification in 2011 and start commercial production in 2012. Actual mass transition to the next-generation memory is projected to occur towards 2015.
But extreme performance will require a tradeoff. In DDR4 memory sub-systems every memory channel will only support one memory module, reports PC Watch web-site, since the developers substituted current multi-drop bus in facour of point-to-point topology. In order to overcome potential inability to install appropriate amount of memory into high-end clients as well as servers, the developers have reportedly presented two approaches:
DRAM manufacturers will need to dramatically increase capacities of memory chips by using multi-layer technique with through silicon via (TSV) technology. As a result, DDR4 memory chips with very high density will become relatively inexpensive. Obviously, this will naturally make memory upgrades slightly more complicated as in order to sustain multi-channel memory performance, all memory modules will have to replaced with more advanced DIMMs.
In case of server multi-layer DRAM IC approach only will not be viable for high-end machines. As a result, it is proposed that special switches are installed onto mainboards to allow multiple memory modules to work on a single memory channel.
The transition to DDR3 memory has taken a long time already and will take a couple more years to complete. But the transition to DDR4 memory will take even longer since it will be much more complicated for all the participants of the ecosystem: the DRAM chip makers, memory module manufacturers, mainboard makers, microprocessor producers, system builders and end-users.
"هذه المشاركة بواسطة الهاتف الجوال"