CL اختصار لـCas Latency و الرقم و لنقل أنه X ، باختصار هو أن كل X عدد من نبضات المعالج المركزي ستقوم الذاكرة بعملية واحدة 1 ، و يزداد عدد عمليات الذاكرة في الثانية الواحدة كلما كان هذا الرقم أصغر..
مثلاً:
معالج سرعته 1000MHz و الذاكرة CL5 هذا يعني 1000 ÷ 5 = 200 عملية ذاكرة في الثانية
معالج سرعته 1000MHz و الذاكرة CL6 هذا يعني 1000 ÷ 6 = 166.7 عملية ذاكرة في الثانية
و بالتحديد: "المعالج 1000MHz و الذاكرة CL6" ، تعطي الذاكرة الأمر بقراءة بيانات في عنوان معين فتحصل على أول حزمة من هذه البيانات بعد 6 نبضات من المعالج بينما ستحصل عليها بعد 5 نبضات اذا كانت CL5
التواقيت الاشهر و الاهم للذاكرة رام هي :
ستجد على الذاكرة مثلاً الأرقام 24-6-8-6 و هي بالترتيب CL-tRCD-tRP-tRAS
CL تم شرحها
tRCD : اختصاراً لـRow Address to Column Address Time تخيل أن داخل الذاكرة يشبه جدول أكسل المكون من أعمدة و صفوف و خلايا تحتوي على البيانات ، توقيتها هو عدد النبضات التي تحتاجها لتقاطع عامود معين مع صف معين لتجد الخلية المطلوبة و في خلال هذه المدة يصدر أمر الشحن لتفعيل الخلية ، تخيل أن لديك جدول أكسل ممتليء بالبيانات و اطلب منك قراءة الخلية S302 ستبدأ عيناك بالبحث عن العامود S ثم البحث عن الصف 302 و تقاطعها عند خلية معينة ، التوقيت tRCD هو الفترة التي يستغرقها هذا الأمر قياساً بالنبضات..
tRP : اختصاراً لـRow Precharge time هو الفترة بالنبضات بين اصدار أمر اعادة الشحن و تنفيذه
tRAS : اختصاراً لـRow Active time و هي الفترة بالنبضات بين أمر تفعيل الخلية و أمر اعادة شحنها
CMD اختصاراً لـCommand Rate و يرمز لها أحياناً على الذاكرة بالحرف T أو الحرف N و احياناً تطبع على الذاكرة و احياناً لا و هناك نوعان: 1T/1N أو 2T/2N و هي عدد النبضات المطلوبة بين تفعيل أو تنشيط شريحة على لوحة الذاكرة و وصول أول أمر لها ، 1T أو 1N تقدم أفضل أداء ممكن بينما 2T أو 2N تقدم افضل توافقية
المشاركة الأصلية كتبت بواسطة fahad999
المفضلات