أعلنت شركة سامسونغ إليكترونيكس بدء إنتاجها الضخم من وحدات الذاكرة سعة 1 غيغابت التي تستخدم تقنية 80 نانومتر. وقالت انه وعلى الرغم من أن وحدات الذاكرةDDR2 الأحادية سعة 1 غيغابت متاحة بالأسواق بالفعل، إلا أنها تعتمد على تقنية 90 نانومتر وهي تقنية أكثر تكلفة وأقل كفاءة.¹
وذكرت انه بفضل تطبيق تقنية 80 نانومتر، ستنتج شركة سامسونغ أصغر مجموعة من وحدات ذاكرة DRAM من حيث الحجم 11*11,5 ملم. وهي أصغر بنسبة 36% من المجموعة التي يبلغ حجمها 11* 18 ملم المطلوبة لرقاقة وحدة الذاكرةDRAM التي تستخدم تقنية 90 نانومتر، وتماثل في صغر حجمها وحدة الذاكرة DRAM 512 ميغابايت التي تعتبر نصف حجم رقاقة الذاكرة التي تبلغ سعتها 1 غيغابت التي تستخدم تقنية 90 نانومتر.
وغالبية رقاقات وحدة الذاكرةDRAM سعة 1 غيغابت المتاحة اليوم يتم جمعها في وحدات DRAM العالية السعة لخوادم الجيل التالي. وتشمل هذه الوحدات وحدة الذاكرة المزدوجة الخطية DIMM 4 غيغابايت تدعم التخزين المؤقت بشكل كامل ووحدات الذاكرة الصغيرة المزدوجة الخطية SODIMM .
ويلزم توفير 36 رقاقة ذاكرةDRAM سعة 1 غيغابت لتكوين وحدة ذاكرة 4 غيغابايت، والتي تتم تهيئتها سواء عن طريق وضع رقاقتين فوق بعضهما البعض أو بتضمين رقاقتين في المجموعة نفسها.
ولا شك في أن تجنب عملية جمع وترصيص الرقاقات يؤدي إلى تبسيط عملية الإنتاج ويحد من التكلفة ويحسن من الخصائص الكهربائية الكلية.
وتقدر شركة غارتنر لأبحاث السوق المبيعات الخاصة بسوق وحدات الذاكرةDRAM العالمي هذا العام بحوالي 28.7 مليار دولار أميركي، وتتوقع ارتفاع هذا الرقم بحلول 2008 ليصل إلى 37.8 مليار دولار أميركي. ويمثل سوق وحدات الذاكرةDRAM سعة 1 غيغابت في الوقت الحالي 8% من النصيب الإجمالي للسوق، غير أنه من المتوقع أن تصل هذه النسبة إلى 36% من القيمة الإجمالية لوحدات الذاكرةDRAM المبيعة في .2008
وتنتج شركة سامسونغ في الوقت الحالي جميع الكثافات من وحدات الذاكرةDDR2 DRAM بتقنية 80 نانومتر. وتجدر الإشارة إلى أن الشركة كانت قد بدأت في إنتاج وحدات الذاكرة DDR2 DRAM سعة 512 ميغابايت باستخدام تقنية 80 نانومتر منذ مارس الماضي.
المفضلات