هذه المعلومات تكررت كثيراً في المنتدى، وكل الإجابات موجودة، لو قمت بعملية بحث بسيطة لرأيت كلما سألت عنه
ولكن لاضير من جمعها كلها في رد واحد
1- buffered و unbuffered
الذاكرات المسجلة Registred هي ذاتها الذاكرة الصِوانية، لم أجد كلمة تترجم كلمة buffer أفضل من صِوان، الصِوان بكسر الصاد هو مثل التجويف الصغير كما في صِوان الأذن، فالذاكرات الصِوانية تكون أشبه بوجود صِوان أو تجويف صغير ينظم من عملية تبادل البيانات بين رقاقات الذاكرة وبين متحكم الذاكرة.
وكلاهما يعتمد على ذاكرة سريعة وصغيرة registers مثل الموجود في المعالج ( مرتبة المسجلات في المعالج أعلى من مرتبة ذاكرات الكاش فهي أعلى الذاكرات سرعة وأقلها تأخيراً )، هذه الذاكرة الصغيرة تكون مثل التجويف الذاكري، حيث تعمل على عملية تخفيف الحمل على متحكم الذاكرة، فهي تتوضع بين متحكم الذاكرة ورقاقات الذاكرة وتمر البيانات عبرها متأخرة دورة ساعة واحدة ( المدة تختلف حسب تردد الذاكرة، فإن كان تردد الذاكرة 800MHz مثلاً فإن التأخير سيكون 1 من 800 مليون من الثانية ) وهذا لايؤثر على الأداء لأن وجود الذاكرة مفيد أساساً...
وظيفة هذه الذاكرة الصغيرة تتجلى في تخفيف الحمل عن متحكم الذاكرة، فهي تساعده على تحمل رقاقات ذاكرة أكثر إضافة لشرائح ذاكرة أكثر أيضاً، فلولاها لما أمكن حشر عدد أكبر من رقاقات الذاكرة ضمن نفس الشريحة، ولما أمكن في الأنظمة العالية ضم عدد كبير من شرائح الذاكرة جنباً إلى جنب...
2- أزمان التأخير
تكون الأرقام عادة مقسمة لخمس نطاقات مثلاً Timing = 4-4-4-18-T1
هناك تعريفات لكل واحدة على حدة، ولكن للتعريف فيجب الانتباه أن الذاكرة تخزن الباينات فيما يشبه الجدول، وللحصول على معلومة معينة يتم التوجه إلى عمود Column و صف Row محددين، كل التعريفات التالي تقوم أساساً على هذا المبدأ. سيتم ذكر مصطلح ( عدد الدورات ) وهو يعني عدد النبضات اللازمة من نبضات الساعة للقيام بالمهمة، في ذاكرة ترددها 800MHz هناك 800 مليون نبضة ساعة، فلو قلنا أن عملية ما تأخذ 8 دورات Clocks فهذا يعني أنها تستغرق 1 من 100 مليون من الثانية...
- RAS : وهو يعني Row Address Select وهو عدد الدورات اللازم لاختيار الصف Row.
- CAS : ويعني Column Address Select وهو عدد الدورات اللازمة لاختيار العمود Column.
- tRAS : هو يختص بالوقت اللازم ( عدد الدورات اللازمة ) بين إعطاء الأمر لسطر Row بالاستعداد، وبين أن يكون فعالاً وجاهزاً لاستلام موقع الذاكرة عن طريق أمر الـ CAS.
- tRCD : بعد السطر جاهزاً ( الخطوة السابقة )، فإن الذاكرة ستطلب أن يتم تفعيل أو تنشيط عمود معين Column وبتنشيط العمود والسطر تكون الخلية المطلوبة تم اختيارها، الوقت هنا tRCD هو عدد الدورات بين تفعيل السطر وحتى تفعيل الخلية المطلوبة ( أو الانتهاء من تفعيل العمود ). عند ذلك سيمكن البدء بالكتابة أو القراءة من تلك الخلية.
- tCL : يسمى بـ CAS Latency وهو أهم عنصر وهو ما يعرفه أغلب الناس بزمن التأخير عادة كأن يقال الذاكرة تمتلك زمن تأخير CL4...
في الذاكرة كما ذكرت يتم تخزين البيانات على هيئة جدول، وعند القراءة أو الكتابة يقوم المعالج بتحدد سطر محدد، ثم يتم تحديد خلية محددة عن طريق تحديد العمود، وبعد ذلك يتم قراءة البيانات بالتتابع عن طريق الانتقال نحو العمود التالي من ذات السطر فليست هناك من حاجة للإنتقال نحو السطر الجديد إلا عند نهايته. فعند ذلك ينعدم توقيت الـ tRCD لأن السطر أساساً جاهز للعمل والأمر هنا يعود إلى اختيار العمود فقط، زمن التأخير CL هو التأخير بين إشارة اختيار العمود CAS وتوافر البيانات ضمن إبرة البيانات في الذكرة والتي تسمى DQ... بعد هذه القيمة تأتي قيمة الـ CAS في الدرجة الثانية من ناحية الأهمية.
- tRP : وهو الوقت اللازم للانتقال من سطر إلى سطر آخر وذلك عند انتهاء السطر الأول أو عندما تكون بيانات أخرى ( سواء كتابة أو قراءة ) مطلوبة في سطر آخر.
- tCLK : وهو طول دورة الساعة الواحدة. وهو يقاس بمعادلة 1÷تردد الذاكرة، فمثلاً ذاكرة ترددها 100MHz سيكون الـ tCLK لها يساوي 1÷100 مليون وهذا يساوي 10 نانو ثانية. إذا طول كل دورة ساعة في هذه الذاكرة سيكون 10 نانو ثانية.
- التأخير : وهو الزمن اللازم من بداية الطلب إلى تنفيذه، وهو يجمع جميع الحالات السابقة ( طبعاً ليس جميعها وإنما التي تحتاج إليها ).
- يسمى T1 أو T2 ويسمى معدل الأوامر Command Rate، وهو الزمن اللازم من اختيار رقاقة الذاكرة المطلوبة ضمن شريحة الذاكرة، حتى تكون الشريحة جاهزة لاستقبال الأوامر. وهي تكون إما دورة أو دورتين T1 أو T2.
عندما يقال بأن ذاكرة ما تواقيتها Timings = 4-4-4-18-T1 فهذا يعني الترتيب التالي CL-tRCD-TRP-tRAS-Command Rate. وكلها يتم قياسها بوحدة دورات الساعة.
3- SLI Ready و CrossFire certificate
هي مجرد تسميات للذاكرة التي تم اختبارها للعمل بكفاءة في ظل استخدام التقنيتين SLI أو CrossFire ضمن اختبارات صارمة تتعلق بالتوافق والاستقرار.
4- CAS latency
ذكرته في النقطة الثانية
5- EPP
وتعني أوضاع الأداء المحسّن Enhanced Performance Profiles وهي تقنية خاصة لأطقم رقاقات nVIDIA المتقدمة ( nForce 590 SLI و nForce 680 SLI ) تقوم على كتابة بيانات أكثر في شرائح الذاكرة بقصد تطويعها لكي تعمل ضمن ظروف محددة، ليس ذات فائدة للمستخدم المتقدم لكنها تفيد المستخدم العادي حيث تقوم هذه الأوضاع بتخزين بيانات محددة مختلفة بخصوص الذاكرة كالتواقيت والتردد مثلاً ويمكنك استدعائها عند الحاجة.
6- ECC
ويعني كود تصحيح الأخطاء Error Correction Code، وهي عبارة عن عدد أكبر من البتات للذاكرة ( مثلاً ذاكرات 64بت بنسختها الـ ECC تستخدم 72 بت بشكل كلي، 64بت منها للبيانات و8 لكود التصحيح )، مهمة هذه البتات الزيادة هو اكتشاف الأخطاء وتصحيحها، وذلك للحصول على أعلى استقرار ممكن، ولكن هذا يأتي على حسابين التكلفة والتأخير فهذه الذاكرات أعلى سعرها وأقل أداءاً بنسبة بسيطة من الذاكرات العادية. تستخدم عادة في محطات العمل والمزودات حيث الاستقرار عامل مهم جداً حتى لو كان على حساب 10% من الأداء رغم أن فرق الأداء التي تسبب هذه التقنية لا يصل حتى إلى 2% !!
وسيتم عمل اللازم بإذن الله . 
المشاركة الأصلية كتبت بواسطة MO676HD
المفضلات