AMD تتحدى انها ستطلق معالجات 22nm قبل انتل !!

[شلاع العتر]

السلام عليكم أخي الكريم من بعد أذنك لي تعليق على كلامك ورد على تساؤلك

التعليق : تكلفة أنشاء مصنع يصنع شرائح بال300 مم (45 نانو) هي أضعاف مضاعفه من أنشاء
مصنع يصنع بال200 مم (65 نانو مثلا)
شريحة ال300 مم (45 نانو ) تكلف المصنع أكثر بكثير من شريحة ال200 مم (65 نانو)
بينما اذا قسنا عدد المعالجات (الدايز) من شريحه 300 مم مقابل شريحه 200 مم
فنجد ان ال300 مربحه أكثر .

بالنسبه لتساؤلك :

"بنية K8 بدقة تصنيع 90nm تمكنت من الوصول الى سرعة 3.2Ghz بينما نواة K10 لم تصل الى هذه السرعة
بالرغم من أنها مصنعة بدقة 65nm "

الجواب ان كل ما كانت دقة التصنيع أصغر كل ما كانت عملية الانتاج والتطوير أصعب

يعني تقنية ال 90 نانو ... تكون "أسهل" من ناحية انتاج من شريحه 65 نانو
وفي معالجات الفينوم واجهت AMD صعوبات كبيره في انتاج معالجات مع تردد مرتفع

السبب مشاكل في التصنيع

=============
وبارك الله فيك صاحب الموضوع على المعلومات والاخبار الممتازه

حفظك الله ويسر لك الخير اينما ذهبت .....

رب مشاركة واحدة أفضل من ألف من المهاترات ...

كل الاحترام

[الخلف]

أتمنى تغيير عنوان الموضوع لكونه لايعكس الحقيقة...

AMD و IBM لم تتحديا Intel في أنهما ستطلقان معالجات 22 نانو قبل إنتل، الإعلان كان مجرد أن AMD و IBM والشركات الأخرى المساهمة في هذا التحالف الصناعي استطاعوا الوصول لإنتاج أول ذاكرات SRAM بتقنية تصنيع 22 نانو وذلك قبل إعلان Intel عن صنعها لنفس الذاكرات...

عادة تنصع ذاكرات SRAM كأول إنتاج لتقنيات التصنيع الجديدة وذلك بسبب ثبات تصميمها وسهولته قياساً لتصاميم المعالجات المعقدة، فكل ذاكرات SRAM القياسية والمشهورة تتكون من 6 ترانزستورات لكل بت من الباينات وبتصميم واحد لتلك الترانزستورات، وبالتالي فهو أسهل وأسرع تصميم...

في تقنيات التصنيع السابقة كانت Intel تسبق تحالف IBM-AMD-Toshiba وغيرهم، ولكن الهوّة الزمنية بين التحالف وIntel كانت تتضائل حتى تقنية تصنيع 32 نانو والتي كانت الفترة بينها أقل من أسبوع واحد ( بل أيام قلائل )، والآن مع تقنية 22 استطاع تحالف AMD-IBM-Toshiba وغيرهم أن يسبق Intel وإلى يومنا هذا لم تعلن Intel عن أي رقاقة بتقنية تصنيع 22 نانو...

هذا الإعلان لايعني بالضرورة أن تقوم إحدى شركات التحالف ( مثل AMD ) أن تطلق معالجات 22 نانو قبل إعلان إنتل، فالمسألة معقدة أكثر مما هو متصوّر...

بنية K8 بدقة تصنيع 90nm تمكنت من الوصول الى سرعة 3.2Ghz بينما نواة K10 لم تصل الى هذه السرعة
بالرغم من أنها مصنعة بدقة 65nm . ما هو تفسيركم لهذا ؟

السبب بسيط، فحجم نواة K10 الحالية وعدد ترانزستوراتها أكبر من نظيرتها K8، وأساساً لن تتمكن AMD من تصنيع K10 بتقنية تصنيع 90 نانو لأن استهلاك الطاقة والانتاج الحراري سيكون كبيراً نظراً لحجم النواة وعدد الترانزستورات...
فلاتنسى أن K10 هي رباعية النُوى بينما K8 و K9 هي أحادية وثنائية النوى

تنتج AMD نسخاً من K9 بتقنية تصنيع 65 نانو وهي أقل استهلاكاً للطاقة وبتردد أعلى من نظيرتها 90 نانو... إنما المسألة أن نواة K10 كونها رباعية النُوى وحقيقية فهي كبيرة، حتى أن Intel نفسها قالت أن تصنيع معالج رباعي النُوى وبتقنية تصنيع 65 نانو يعد تحدياً هندسياً كبيراً ومجازفة أيضاً !!
فإنتل نفسها لم تجعل مخطط بنواة رباعية النوى حقيقية إلا مع تقنية تصنيع 45 نانو وبعد التقدم فيها وتحسينها أيضاً !!

[tazko]

بارك الله فيك الخلف على التوضيح

شاهدت أكثر من موضوع فيه تغليط لصالح AMD

مثل موضوع 12 نواه حتى نهاية العام ... مع أنه كان مكتوب في المقال غير ذلك .

يا ريت يتم تعديل مثل هذه الاخبار ... للحفاظ على المستوى العام للمنتدى .. والمصداقيه

[BlueGene]

السبب بسيط، فحجم نواة K10 الحالية وعدد ترانزستوراتها أكبر من نظيرتها K8، وأساساً لن تتمكن AMD من تصنيع K10 بتقنية تصنيع 90 نانو لأن استهلاك الطاقة والانتاج الحراري سيكون كبيراً نظراً لحجم النواة وعدد الترانزستورات...
فلاتنسى أن K10 هي رباعية النُوى بينما K8 و K9 هي أحادية وثنائية النوى

مشكور على التوضيح

[The_wizard0]

شكرا على الخبر و المناقشات الفعالة فيه

[الفتى المبتسم أنا]

شكرا ياذيب


2011

سنتين و 4 شهور

سبحان مغير الاحوال

عيشو في الاحلام ياجماعة AMD

موفقين

[The_Wolf88]

أتمنى تغيير عنوان الموضوع لكونه لايعكس الحقيقة...

AMD و IBM لم تتحديا Intel في أنهما ستطلقان معالجات 22 نانو قبل إنتل، الإعلان كان مجرد أن AMD و IBM والشركات الأخرى المساهمة في هذا التحالف الصناعي استطاعوا الوصول لإنتاج أول ذاكرات SRAM بتقنية تصنيع 22 نانو وذلك قبل إعلان Intel عن صنعها لنفس الذاكرات...

عادة تنصع ذاكرات SRAM كأول إنتاج لتقنيات التصنيع الجديدة وذلك بسبب ثبات تصميمها وسهولته قياساً لتصاميم المعالجات المعقدة، فكل ذاكرات SRAM القياسية والمشهورة تتكون من 6 ترانزستورات لكل بت من الباينات وبتصميم واحد لتلك الترانزستورات، وبالتالي فهو أسهل وأسرع تصميم...

في تقنيات التصنيع السابقة كانت Intel تسبق تحالف IBM-AMD-Toshiba وغيرهم، ولكن الهوّة الزمنية بين التحالف وIntel كانت تتضائل حتى تقنية تصنيع 32 نانو والتي كانت الفترة بينها أقل من أسبوع واحد ( بل أيام قلائل )، والآن مع تقنية 22 استطاع تحالف AMD-IBM-Toshiba وغيرهم أن يسبق Intel وإلى يومنا هذا لم تعلن Intel عن أي رقاقة بتقنية تصنيع 22 نانو...

هذا الإعلان لايعني بالضرورة أن تقوم إحدى شركات التحالف ( مثل AMD ) أن تطلق معالجات 22 نانو قبل إعلان إنتل، فالمسألة معقدة أكثر مما هو متصوّر...

اخي الخلف لم اقم بوضع العنوان من عندي الخبر قرأته في Tomshardware ووضعت المصدر المباشر عوضا عن تومزهاردوير.

في تومزهاردوير كان العنوان AMD First to 22 Nm, Challenges Intel

وهذا رابط الخبر من تومزهاردوير

https://www.tomshardware.com/news/am...ntel,6175.html

تحياتي..

[الخلف]

القصد هو كما ذكرت مسبقاً أن AMD و IBM كانت السباقة لإنتاج شرائح 22 نانو تعمل بشكل تام وكانت الشرائح ماهي إلا ذاكرات SRAM والتي شرحتها مسبقاً ولماذا تكون هي فأر التجارب لتقنيات التصنيع الجديدة...

إذاً IBM و AMD تحدوا Intel بطرحهم أول رقاقة 22 نانو تعمل وليس أول معالج، فلايزال الطريق بحاجة لثلاث إلى أربع سنوات حتى نصل إلى 22 نانو، حيث تكون قفزة تقنيات التصنيع كل سنتين حتى 22 نانو ثم - شخصياً أتوقع - أن تطول المدة نحو تقنيات تصنيع 16 نانو وأقل لأن التقنيات السيليكونية الحالية عاجزة عن اقتحام عالم الـ 16 نانو وأقل، إلا إذا حصل تطور ما في عالم السيليكون... وحالياً الأنظار تتجه بعيداً عن السيليكون...

أما عنوان الموضوع هذا فهو يشير إلى تحدي AMD أنها ستطلق معالجات 22نانو قبل إنتل... وعنوان موقع THG لايشير إلى المعالجات وإنما أشار لتحدي AMD بكونها أطلقت رقاقات بتقنية تصنيع 22 نانو قبل إنتل...

كما ذكرت مسبقاً ذاكرات SRAM تكون هي فأر التجارب لتقنيات التصنيع بسبب تصميمها البسيط جداً والخالي من التعقيدات، أما المعالجات والرقاقات الأخرى فهي تحتاج لجهد كبير من أجل إعادة التصميم لتقنية تصنيع أفضل وذلك لتجنب مشاكل كثيرة كالتسرب الإلكتروني وغيرها...

نعم حالياً لاتزال AMD بعيدة عن Intel فأول إنتاج 45 نانو لـ AMD لم يظهر بعد وسيظهر في الربع القادم ( من أكتوبر حتى ديسمبر ) وإضافة لذلك فسيكون بتقنية تصنيع SOI 45nm مجردة دون تقنيات تطوير مما يجعل من التردد محدود نسبياً ( ليس كثيراً وإنما أفضل من الترددات الحالية ) قد يكون سقف التردد الأعظمي هو 3.8 جيجا هذا إن استطاعت الشركة الحفاظ على معدل الاستهلاك ضمن ترددات أعلى من 3.4، وشخصياً أتوقع أن تزيد الشركة من التردد بشكل تدريجي 2.8 و 3.0 و 3.2 وحتى 3.4 أثناء تطويرها لتقنية تصنيع SOI 45nm HKMG والتي ستتيح لها الوصول لترددات أعلى مع تخفيض استهلاك الطاقة...
هذه المعالجات ستكون معتمدة على نواة Shanghai لمعالجات Opteron، و Deneb لمعالجات Phenom والتي ستقدم تحسينات طفيفة على الأنوية الحالية من ناحية الأداء/التردد...
في النصف الثاني من 2009 يمكن أن تبدأ AMD في التحول إلى SOI 45nm HKMG، وفي الفترة الممتدة من الربع الثاني إلى الربع الرابع من 2010 ستكون على موعد مع تقنيات 32 نانو...
من جهة أخرى Intel تجهز نفسها لتقنيات 32 نانو مع النصف الثاني من 2009، وهذا سيضيق الهوة الزمنية بين AMD و Intel لتصبح أقل من سنة...
في 2011 إن سارت كل الأمور على ما يرام على جانبي AMD و Intel ستكون تلك السنة على موعد مع تقنيات 22 نانو في وقت متقارب جداً لتصبح الفترة الزمنية ربما ثلاثة أرباع السنة أو ربما النصف...

الجدول الزمني السابق صالح فقط إن سار كل شيء على ما يرام...

في النصف الثاني من 2009 سنشهد معالجات Fusion للمعالجات المحمولة والتي ستستند على نواة K10.5 + مسرع رسومي RV710 وستصنع بتقنية تصنيع 45نانو أو 40 نانو ( وربما الاثنين معاً إن صحت أخبار أنه سيكون MCM والذي سيكون خياراً وارداً إذا صعبت عملية تحويل نواة RV710 إلى تقنيات تصنيع AMD المعهودة SOI حيث ستحتاج النواة لإعادة تصميم بسبب اختلاف تقنية التصنيع )
في سنة 2010 سنكون على موعد مع معالجات Bulldozer من AMD والتي ستكون نواة جديدة كلياً K11 مشفوعة برؤية تصميمية تسمى M-Space والرامية إلى جعل الأنوية المختلفة ( CPU و GPU و APU - استناداً إلى Accelerated Processing Unit ) أشبه بما تكون بلعبة مكعبات تركب على بعضها استناداً للفئة السوقية...

بالمقابل، تتعهد Intel بنواة Nehalem قبل نهاية هذه السنة لتكون جنباً إلى جنب مع معالجات Shanghai و Deneb...
أما في 2009 فستنقل Intel نواة Nehalem إلى 32 نانو مع نواة Westmere
وفي 2010 ستواجه Intel نواة Bulldozer بمعماريته الجديدة K11 من AMD بمعمارية جديدة أيضاً بنواة تحت اسم Sandy Bridge والذي سيتم ترقيته في 2011 إلى IVY Bridge مع تقنية تصنيع 22 نانو، مع استبداله بمعمارية جديدة أيضاً في 2012 بنواة Haswell...

إن مضت AMD على ذات الخط، فستكون هناك معمارية جديدة أيضاً في 2012 ولكن الوضع الحالي يجعلنا لا نتوقع ذلك ولكن لا نعلم عن نجاح نواة Bulldozer ( رغم أن AMD مجبرة على جعلها متفوقة وناجحة إن أرادت أن لا تعلن إفلاسها وإغلاقها !! )

[الفتى المبتسم أنا]

صدقوني امسكو الخلف , واسالوه مابد لكم :D

ماشاء الله تبارك الله

جزيل الشكر على الرد ,

جزاك الله علما وفضلا وخلقا وخلقا ً وزادك الله من علمه وبارك لك في دنياك وآخرتك

[محمد أبوحجلة]

السلام عليكم

والله انك موسوعة يا الخلف.. الله يحفظك..
الاخ معاذ كل عام وانت بخير وتسلم على الجريدة....:D

[الفتى المبتسم أنا]

السلام عليكم

والله انك موسوعة يا الخلف.. الله يحفظك..
الاخ معاذ كل عام وانت بخير وتسلم على الجريدة....:D

وانت من اهل الخير

امسكو الخلف لايطير من يدكم واسألوه اي سوؤال عالطاير

[core 2 extreme]

Intel has shown 30nm, 20nm and even 15nm transistors

المصدر

https://www.intel.com/research/spotl...n_one_chau.htm

[Tech_Admin]

مشكور على الخبر

[The_Wolf88]

القصد هو كما ذكرت مسبقاً أن AMD و IBM كانت السباقة لإنتاج شرائح 22 نانو تعمل بشكل تام وكانت الشرائح ماهي إلا ذاكرات SRAM والتي شرحتها مسبقاً ولماذا تكون هي فأر التجارب لتقنيات التصنيع الجديدة...

إذاً IBM و AMD تحدوا Intel بطرحهم أول رقاقة 22 نانو تعمل وليس أول معالج، فلايزال الطريق بحاجة لثلاث إلى أربع سنوات حتى نصل إلى 22 نانو، حيث تكون قفزة تقنيات التصنيع كل سنتين حتى 22 نانو ثم - شخصياً أتوقع - أن تطول المدة نحو تقنيات تصنيع 16 نانو وأقل لأن التقنيات السيليكونية الحالية عاجزة عن اقتحام عالم الـ 16 نانو وأقل، إلا إذا حصل تطور ما في عالم السيليكون... وحالياً الأنظار تتجه بعيداً عن السيليكون...

أما عنوان الموضوع هذا فهو يشير إلى تحدي AMD أنها ستطلق معالجات 22نانو قبل إنتل... وعنوان موقع THG لايشير إلى المعالجات وإنما أشار لتحدي AMD بكونها أطلقت رقاقات بتقنية تصنيع 22 نانو قبل إنتل...

كما ذكرت مسبقاً ذاكرات SRAM تكون هي فأر التجارب لتقنيات التصنيع بسبب تصميمها البسيط جداً والخالي من التعقيدات، أما المعالجات والرقاقات الأخرى فهي تحتاج لجهد كبير من أجل إعادة التصميم لتقنية تصنيع أفضل وذلك لتجنب مشاكل كثيرة كالتسرب الإلكتروني وغيرها...

نعم حالياً لاتزال AMD بعيدة عن Intel فأول إنتاج 45 نانو لـ AMD لم يظهر بعد وسيظهر في الربع القادم ( من أكتوبر حتى ديسمبر ) وإضافة لذلك فسيكون بتقنية تصنيع SOI 45nm مجردة دون تقنيات تطوير مما يجعل من التردد محدود نسبياً ( ليس كثيراً وإنما أفضل من الترددات الحالية ) قد يكون سقف التردد الأعظمي هو 3.8 جيجا هذا إن استطاعت الشركة الحفاظ على معدل الاستهلاك ضمن ترددات أعلى من 3.4، وشخصياً أتوقع أن تزيد الشركة من التردد بشكل تدريجي 2.8 و 3.0 و 3.2 وحتى 3.4 أثناء تطويرها لتقنية تصنيع SOI 45nm HKMG والتي ستتيح لها الوصول لترددات أعلى مع تخفيض استهلاك الطاقة...
هذه المعالجات ستكون معتمدة على نواة Shanghai لمعالجات Opteron، و Deneb لمعالجات Phenom والتي ستقدم تحسينات طفيفة على الأنوية الحالية من ناحية الأداء/التردد...
في النصف الثاني من 2009 يمكن أن تبدأ AMD في التحول إلى SOI 45nm HKMG، وفي الفترة الممتدة من الربع الثاني إلى الربع الرابع من 2010 ستكون على موعد مع تقنيات 32 نانو...
من جهة أخرى Intel تجهز نفسها لتقنيات 32 نانو مع النصف الثاني من 2009، وهذا سيضيق الهوة الزمنية بين AMD و Intel لتصبح أقل من سنة...
في 2011 إن سارت كل الأمور على ما يرام على جانبي AMD و Intel ستكون تلك السنة على موعد مع تقنيات 22 نانو في وقت متقارب جداً لتصبح الفترة الزمنية ربما ثلاثة أرباع السنة أو ربما النصف...

الجدول الزمني السابق صالح فقط إن سار كل شيء على ما يرام...

في النصف الثاني من 2009 سنشهد معالجات Fusion للمعالجات المحمولة والتي ستستند على نواة K10.5 + مسرع رسومي RV710 وستصنع بتقنية تصنيع 45نانو أو 40 نانو ( وربما الاثنين معاً إن صحت أخبار أنه سيكون MCM والذي سيكون خياراً وارداً إذا صعبت عملية تحويل نواة RV710 إلى تقنيات تصنيع AMD المعهودة SOI حيث ستحتاج النواة لإعادة تصميم بسبب اختلاف تقنية التصنيع )
في سنة 2010 سنكون على موعد مع معالجات Bulldozer من AMD والتي ستكون نواة جديدة كلياً K11 مشفوعة برؤية تصميمية تسمى M-Space والرامية إلى جعل الأنوية المختلفة ( CPU و GPU و APU - استناداً إلى Accelerated Processing Unit ) أشبه بما تكون بلعبة مكعبات تركب على بعضها استناداً للفئة السوقية...

بالمقابل، تتعهد Intel بنواة Nehalem قبل نهاية هذه السنة لتكون جنباً إلى جنب مع معالجات Shanghai و Deneb...
أما في 2009 فستنقل Intel نواة Nehalem إلى 32 نانو مع نواة Westmere
وفي 2010 ستواجه Intel نواة Bulldozer بمعماريته الجديدة K11 من AMD بمعمارية جديدة أيضاً بنواة تحت اسم Sandy Bridge والذي سيتم ترقيته في 2011 إلى IVY Bridge مع تقنية تصنيع 22 نانو، مع استبداله بمعمارية جديدة أيضاً في 2012 بنواة Haswell...

إن مضت AMD على ذات الخط، فستكون هناك معمارية جديدة أيضاً في 2012 ولكن الوضع الحالي يجعلنا لا نتوقع ذلك ولكن لا نعلم عن نجاح نواة Bulldozer ( رغم أن AMD مجبرة على جعلها متفوقة وناجحة إن أرادت أن لا تعلن إفلاسها وإغلاقها !! )

ما شاء الله عليك اخي الخلف

موسوعة كاملة

[الخلف]

شكراً لكم جميعاً

Intel has shown 30nm, 20nm and even 15nm transistors

المصدر

https://www.intel.com/research/spotl...n_one_chau.htm

صناعة الترانزستور مختلفة عن صناعة رقاقة SRAM وصناعة رقاقة SRAM تختلف عن صناعة المعالج...

صناعة الترانزستور هي عملية النجاح في تطوير التقنية اللازمة للوصول إلى ذلك المستوى من الصغر في الترانزستورات...

صناعة SRAM هي قفزة كبيرة جداً للأمام، فهي تعني صنع دائرة متكاملة كاملة اعتماداً على تقنية التصنيع تلك، وهي تعني أيضاً التغلب على مشاكل مختلفة كمشاكل التسريب الإلكتروني leak ومشاكل الطباعة الضوئية عند تلك الأبعاد ( مثلاً التوجه نحو الـ 45 نانو والـ 32 نانو استدعى التوجه نحو الطباعة الضوئية باستخدام الأشعة الفوق بنفسجية عوضاً عن الضوء العادي وذلك لقصر طوله الموجي، واستخدام أشعة مختلفة استدعى البحث عن مواد تتناسب معه )

وكما أسلفت فإن صناعة الـ SRAM هي فأر تجارب لكون تصميمها سهل جداً، وتقنياً فإن عملية الانتقال من SRAM إلى معالج كامل لاتحتاج لـ 3 - 4 سنين بل حتى سنتين تكفي، ولكن الشركات تأخذ وقتها في التجريب والاختبارات، فكلنا يعرف أن معالجات 45 نانو قامت AMD بعرضها منذ بداية السنة ولكنها لن تنتجها تجارياً قبل نهاية هذه السنة، والشركة لا تقوم بعرض منتج معين إلا بعد أن يكون حصل على كفايته من الاختبارات الأولية التي تجريها، فرقاقات 45 نانو كانت موجودة لدى AMD من قبل أكثر من سنة من الآن...
نفس الأمر لإنتل، فهي حالياً تقوم باختبارات على رقاقات 32 نانو رغم أنها لن تظهر إلا في النصف الثاني من السنة القادمة...

وللعلم فإن Toshiba وهي عضو في اتحاد IBM و AMD وغيرهم ( هناك شركات أخرى مثل Freescale و SMTMicroelectronics كلها ضمن هذا الاتحاد )، قامت في سنة 2005 بعرض ترانزستورات بـ 15 نانو ( مقابل 2006 لإنتل )، وفي ديسمبر 2007 عرضت نسخة أولية لاتعمل من ذاكرات بتقنية تصنيع 15 نانو، وهذا يعني أنها نجحت بتحويل تقنية تصنيع 15 نانو من حيز الترانزستورات إلى التصنيع خلال سنتين، ولكن طبعاً الرقاقة لم تكن تعمل لأن الهدف من تلك العملية هو البدء بعملية الإنتاج التجاري، وتقوم الشركات بعد إنتاج أول رقاقة Prototype بالقيام بعمليات التطوير والبحث لتحويل الرقاقة من رقاقة تجريبية Prototype لرقاقة عاملة وهذا الأمر يحتاج لوقت طويل، فشخصياً لا أتوقع أن نجد رقاقات SRAM عاملة بتقنية 15 أو 16 نانو قبل 2009 - 2010 لتكون التقنية على استعداد لاحتضان المعالجات في 2013 - 2014