معالجات 32 بت : عائلة 80486
16-انتل 80486DX
تاريخ الإدخال في الشغل 10 أبريل 1989
ترددات الساعة:
25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 20 MIPS
7 مايو 1990 33 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 27 MIPS
24 يونيو 1991 50 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 41 MIPS
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت
عدد الترانزستورات 1.2 مليون على 1 ميكرومتر (0.8 ميكرومتر لنموذج الـ 50 ميجاهيرتز)
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
تحتوي الرقاقة على ذاكرة مخبئية من المستوى الأول (Level 1 cache) مدمجة، 8 كيلوبايت
تضاعف الآداء 50 مرة عن 8080
استعمل في الحواسب المكتبية و المخدمات
17-انتل 80486SX
تاريخ الإدخال في العمل 22 أبريل 1991
ترددات الساعة:
16 سبتمبر 1991 16 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 13 MIPS و 20ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 16.5 MIPS
16 سبتمبر 1991 25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 20 MIPS
21 سبتمبر 1992 33 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 27 MIPS
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت
عدد الترانزستورات 1.185 مليون على 1 ميكرومتر و 900000 على 0.8 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
ذاكرة مخبئية من المستوى الأول (Level 1 cache) مدمجة، 8 كيلوبايت
يختلف عن المعالج 80486DX فقط بعدم وجود معالج مساعد رياضي (math coprocessor)
استخدم في الحواسب المكتبية قليلة التكلفة والتي تستعمل معالجات من عائلة 80486
تمت ترقيته بمعالج إنتل المطور (Intel OverDrive)
18-انتل 80486DX2
تاريخ الإدخال في العمل 3 مارس 1992
ترددات الساعة:
50 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 41 MIPS
10 أغسطس 1992 66 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 54 MIPS
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت
عدد الترانزستورات 1.2 ميليون على 0.8 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
ذاكرة مخبئية من المستوى الأول (Level 1 cache) مدمجة، 8 كيلوبايت
استخدم في الحواسب المكتبية ذات الآداء العالي و التكلفة المنخفضة
يستخدم تقنية "مضاعف السرعة" حيث يعمل المعالج داخليا بسرعة تعادل ضعف سرعة الممر
19-انتل 80486SL
تاريخ الإدخال في العمل 9 نومبر 1992
ترددات الساعة:
20 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 15.4 MIPS
25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 19 MIPS
33 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 25 MIPS
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت
عدد الترانزستورات 1.4 مليون على 0.8 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 64 ميغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
استخدم في الحواسب المحمولة
20-انتل بنتيوم
تاريخ الإدخال في العمل 22 مارس 1993
تقنية التصنيع 0.8 ميكرومتر (P5)
عرض ممر المعطيات 64 بت، ممر العناوين 32 بت
تردد نظام الممرات 50 أو 60 أو 66 ميجاهيرتز
عدد الترانزستورات 3.1 مليون
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
غطاء من نوع بي جي اي ذو مقبس سوكيت 4 بـ 273 رجل
أبعاد الغطاء 2.16 إنش × 2.16 إنش
معالجة فائقة التدرج أتاحت مضاعفة الآداء 5 مرات عن معالج 486DX ذو التردد 33 ميجاهيرتز
يعمل بجهد 5 فولت
استخدم في الحواسب المكتبية
16 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
الأصناف
60 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 100 MIPS
66 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 112 MIPS
تقنية التصنيع 0.6 ميكرومتر (P54C)
غطاء من نوع بي جي اي ذو مقبس سوكيت 7 بـ 321/296 رجل
عدد الترانزستورات 3.2 ميليون
75 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 10 أكتوبر 1994
90 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مارس 1994
100 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مارس 1994
120 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 27 مارس 1995
تقنية التصنيع 0.35 ميكرومتر (P54C)
عدد الترانزستورات 3.3 ميليون
مساحة الرقاقة 90 ملم²
120 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل مارس 1995
133 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل يونيو 1995
150 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير 1996
166 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير 1996
200 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 10 يونيو 1996
21-انتل 80486DX4
تاريخ الإدخال في العمل 7 مارس، 1994
ترددات الساعة:
75 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 53 MIPS
100 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 70.7 MIPS
عدد الترانزستورات 1.6 مليون على 0.6 ميكرومتر
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
عدد الأرجل 168 لغطاء بي جي أي (PGA) و 208 لغطاء اس كيو اف بي (SQFP)
مساحة الرقاقة 345 ملم²
استخدم في الحواسب المكتبية متوسطة الكلفة ذات الأداء العالي و في الحواسب المحمولة عالية الكلفة
22-انتل بنتيوم برو
تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995
تقنية التصنيع 0.6 ميكرومتر
غطاء من نوع إس بي جي أي الثنائي (Dual SPGA) ذو مقبس سوكيت 8 بـ 387 رجل
عدد الترانزستورات 22 مليون
16 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
تردد ممرات النظام 60 ميجاهيرتز
الأصناف
155 ميجاهيرتز
تقنية التصنيع 0.35 ميكرومتر أو 0.35 ميكرومتر CPU و 0.6 ميكرومتر L2 cache
عدد الترانزستورات 36.5 مليون أو 22 مليون
512 كيلو بايت أو 256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
تردد ممرات النظام 60 أو 66 ميجاهيرتز
الأصناف
166 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 512 كيلو بايت 0.35 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995
180 ميجاهيرتز (60 ميجاهيرتز تردد الممر، 256 كيلو بايت 0.6 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995
200 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 256 كيلو بايت 0.6 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995
200 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 512 كيلو بايت 0.35 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995
200 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 1 ميغابايت 0.35 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 18 أغسطس 1997
23-بنتيوم ام ام اكس
بنتيوم إم إم إكس Pentium MMX
تاريخ الإدخال في العمل 8 يناير 1997
تقنية التصنيع 0.35 ميكرومتر (P55C)
تعليمات إنتل إم إم إكس (Intel MMX Instructions)
غطاء من نوع بي جي اي ذو مقبس سوكيت 7 بـ 321/296 رجل
32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
عدد الترانزستورات 4.5 ميليون
تردد نظام الممرات 66 ميجاهيرتز
الأصناف
166 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 8 يناير 1997
200 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 8 يناير 1997
233 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 يونيو 1997
166 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 12 يناير 1998
200 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 8 سبتمبر 1997
233 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 8 سبتمبر 1997
266 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 12 يناير 1998
300 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 7 يناير 1999
24-انتل بنتيوم 2
تاريخ الإدخال في العمل 7 مايو 1997
بنية (Klamath) بتقنية تصنيع 0.35 ميكرومتر (233، 266، 300 ميجاهيرتز)
مطابق لبنتيوم برو مع إضافة تعليمات MMX و تطوير دعم تطبيقات 16 بت
غطاء من نوع إس إي سي (SEC، Single Edge Contact) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل
عدد الترانزستورات 7.5 مليون
تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز
32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية الخارجية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بنصف سرعة المعالج.
الأصناف
233 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مايو 1997
266 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مايو 1997
300 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مايو 1997
بنية (Deschutes) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر (333، 350، 400، 450 ميجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 26 يناير 1998
تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز (للصنف 333ميجاهيرتز فقط)، 100ميجاهيرتز لباقي الأصناف
الأصناف
333 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يناير 1998
350 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل 1998
400 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل 1998
450 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس 1998
233 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 2 أبريل 1998
266 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 2 أبريل 1998
300 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 9 سبتمبر 1998
333 ميجاهيرتز (محمول)
25-انتل سيليرون
تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل 1998
بنية (Covington) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر
غطاء من نوع إس إي بي بي (SEPP، Single Edge Processor Package) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل
عدد الترانزستورات 7.5 مليون
تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز
32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
لا توجد ذاكرة مخبئية من المستوى الثاني
الأصناف
266 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل 1998
300 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 9 يونيو 1998
بنية (Mendocino) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر
تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس 1998
غطاء من نوع إس إي بي بي (SEPP، Single Edge Processor Package) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل، غطاء من نوع بي بي جي اي (PPGA) ذو مقبس سوكيت 370
عدد الترانزستورات 19 مليون
تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز
32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
128 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
الأصناف
300A ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس 1998
333 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس 1998
366 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير 1999
400 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير 1999
433 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 22 مارس 1999
466 ميجاهيرتز
500 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 أغسطس 1999
533 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير 2000
266 ميجاهيرتز (محمول)
300 ميجاهيرتز (محمول)
333 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 5 أبريل 1999
366 ميجاهيرتز (محمول)
400 ميجاهيرتز (محمول)
433 ميجاهيرتز (محمول)
450 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 14 فبراير 2000
466 ميجاهيرتز (محمول)
500 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 14 فبراير 2000
26-انتل بنتيوم 2 زيون
بنتيوم II زيون (PII Xeon)
الأصناف
400 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 29 يونيو 1998
450 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2 Cache) تاريخ الإدخال في العمل 6 أكتوبر 1998
450 ميجاهيرتز (1-2 ميغابايت L2 Cache) تاريخ الإدخال في العمل 5 يناير 1999
بنتيوم III كزيون (PIII Xeon)
تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
عدد الترانزستورات: 9.5 مليون على 0.25 ميكرومتر أو 28 مليون على 0.18 ميكرومتر
256 كيلوبايت أو 1-2 ميغابايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
غطاء من نوع إس إي سي سي2 (SECC2، Single Edge Contact cartridge 2) أو إس سي 330 (SC330)
تردد ممرات النظام 133 ميجاهيرتز (256 كيلو بايت L2) أو 100 ميجاهيرتز (1 - 2 ميغابايت L2)
عرض ممرات النظام 64 بت
الذاكرة القابلة للعنونة 64 غيغابايت
يستخدم في المخدمات ثنائية الإتجاه (two-way servers) و في محطات العمل (256 كيلوبايت L2) أو المخدمات رباعية و ثمانية الإتجاه (1 - 2 ميغابايت L2)
الأصناف
500 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر) تاريخ الإدخال في العمل 17 مارس 1999
550 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر) تاريخ الإدخال في العمل 23 أغسطس 1999
600 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكنوبر 1999
667 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكنوبر 1999
733 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكنوبر 1999
800 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 12 يناير 2000
866 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 10 أبريل 2000
933 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2)
1000 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 22 أغسطس 2000
700 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 1-2 ميغابايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 22 مايو 2000
27-انتل بنتيوم 3
تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير 1999
بنية (Katmai) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر
بنتيوم II مطور، إضيفة له تعليمات إس إس إي (SSE)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة
عدد الترانزستورات 9.5 مليون
32 كيلو بايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية الخارجية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بنصف سرعة المعالج.
غطاء من نوع إس إي سي سي2 ( SECC2، Single Edge Contact cartridge 2) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل
تردد ممرات النظام 100 ميجاهيرتز
الأصناف
450 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير 1999
500 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير 1999
550 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 17 مايو 1999
600 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 أغسطس 1999
533 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل (تردد الممر 133 ميجاهيرتز) 27 سبتمبر 1999
600 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل (تردد الممر 133 ميجاهيرتز) 27 سبتمبر 1999
بنية كوبرماين (Coppermine) بتقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر
تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
عدد الترانزستورات 28.1 مليون
32 كيلو بايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
غطاء من نوع إس إي سي سي2 (SECC2، Single Edge Contact cartridge 2) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 إبرة و من نوع اف سي-بي جي اي (FC-PGA، Flip-chip pin grid array) ذو 370 إبرة
تردد ممرات النظام 100 ميجاهيرتز، 133 ميجاهيرتز
الأصناف
500 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)
533 ميجاهيرتز
550 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)
600 ميجاهيرتز
600 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)
650 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
667 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
700 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
733 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
750 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر 1999
800 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر 1999
800 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر 1999
850 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 مارس 2000
866 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 20 مارس 2000
933 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 مايو 2000
1000 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 8 مارس 2000 (لم يكن متوفرا بشكل واسع عند الإصدار)
400 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
450 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
500 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
600 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 18 يناير 2000
650 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 18 يناير 2000
700 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 24 أبريل 2000
750 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 يونيو 2000
800 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر 2000
850 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر 2000
900 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 مارس 2001
1000 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 مارس 2001
بنية (Tualatin) بتقنية تصنيع 0.13 ميكرومتر
تاريخ الإدخال في العمل يوليو 2001
عدد الترانزستورات 28.1 مليون
32 كيلو بايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
256 كيلو بايت أو 512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
غطاء من نوع اف سي-بي جي اي (FC-PGA، Flip-chip pin grid array) ذو 370 إبرة
تردد ممرات النظام 133 ميجاهيرتز
الأصناف
1133 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)
1200 ميجاهيرتز
1266 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)
1333 ميجاهيرتز
1400 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)
28- انتل بنتيوم 4
تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر (1.40 و 1.50 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 20 نوفمبر 2000
256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
غطاء من نوع بي جي اي 423، بي جي اي 478
تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز
تعليمات إس إس إي 2 (SSE2)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة
عدد الترنزستورات 42 مليون
يستخدم في الحواسب المكتبية و محطات العمل
تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر(1.7 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 23 أبريل 2001
نفس خصائص الرقائق 1.4 و 1.5 جيجاهيرتز
تقنية التصنيع 0.18 ميكرومتر (1.6، 1.8 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 2 يوليو 2001
نفس خصائص الرقائق 1.4 و 1.5 جيجاهيرتز
تعمل النواة بجهد 1.15 فولت في نمط الآداء الأعظمي وبجهد 1.05 في نمط المدخرة (البطارية) المحسن
الاستطاعة < 1 واط في نمط المدخرة المحسن
يستخدم في الحواسب المحمولة
تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر ببنيةWillamette (1.9، 2.0 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 27 أغسطس 2001
نفس خصائص الرقائق 1.4 و 1.5 جيجاهيرتز
بنتيوم 4 (2 جيجاهيرتز، 2.20 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 7يناير 2002
بنتيوم 4 (2.4 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 2 أبريل 2002
0.13 ميكرومتر; تقنية تصنيع Northwood A (1.7، 1.8، 1.9، 2، 2.2، 2.4، 2.5، 2.6 جيجاهيرتز)
تقنية توقع التفرع محسنة
512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
عدد الترنزستورات 55 مليون
تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز.
0.13 ميكرومتر; تقنية تصنيع Northwood B (2.26، 2.4، 2.53، 2.66، 2.8، 3.06 جيجاهيرتز)
تردد ممرات النظام 533 ميجاهيرتز. (3.06 يتضمن تقنية التشعب الفائق).
0.13 ميكرومتر; تقنية تصنيع Northwood C (2.4، 2.6، 2.8، 3.0، 3.2، 3.4 جيجاهيرتز)
تردد ممرات النظام 800 ميجاهيرتز (جميع النماذج تستخدم تقنية التشعب الفائق )
الطاقة المقدرة من 6500 إلى 10000 MIPS
29-انتل بنتيوم 4 اكستريم ايدشنز
تاريخ الإدخال في العمل فبراير 2004
بنية بريسكوت Prescott (2.4A، 2.8، 2.8A، 3.0، 3.2، 3.4، 3.6، 3.
بتقنية تصنيع 0.09 ميكرومتر
1 ميغا بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
تردد ممرات النظام 533 ميجاهيرتز (2.4A 2.8A)
تردد ممرات النظام 800 ميجاهيرتز ()
تقنية التشعب الفائق مدعومة في المعالجات ذات تردد ممر المعطيات 800 ميجاهيرتز.
زيادة عدد مراحل المعالج التدفقية من 20 إلى 31 مرحلة مما يسمح نظريا بزيادة تردد الساعة
الطاقة المقدرة من 7500 إلى 11000 MIPS
المعالجات من طراز 5xx تحتوي على مقبس LGA-775 و من طراز 5x1 تدعم توسيعة EM64T
المعالجات ن طراز 6xx تدعم توسيعة EM64T و تحتوي على 2 ميغابايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
30- معالج انتل ايتانيوم "معالجات 64-بت: IA-64 "
31-إيتانيوم 2
32-بنتيوم دي
Introduced Q2 2005
Smithfield dual-core version
2.8–3.4 جيجاهيرتز
1 ميجا بايت + 1 ميجا بايت L2 cache (non-shared، 2 ميجا بايت total)
800 ميجاهيرتز system-bus
Not hyperthreading، performance increase of 60% over similarly clocked Prescott
Cache-coherency between cores requires communication over the 800 ميجاهيرتز FSB
updated Pentium D 65 nanometer "Presler"-double core to increase yields 2.8-3.4 جيجاهيرتز 2 ميجا بايت + 2 ميجا بايت L2 cache (non-shared) 800 ميجاهيرتز system bus no hyperthreading
33-انتل كور
تاريخ الإدخال في العمل January 2006
Yonah 0.065 ميكرومتر (65 nm) تقنية التصنيع
667 ميجاهيرتز frontside bus 2 ميجا بايت (Shared on Duo) L2 cache
الأصناف:
Intel Core Duo T2600 2.16 جيجاهيرتز (Apple Computer MacBook Pro - Feb 06)
Intel Core Duo T2500 2.00 جيجاهيرتز (Apple Computer iMac، MacBook Pro - Jan 06)
Intel Core Duo T2400 1.83 جيجاهيرتز (Apple Computer MacBook Pro - Feb 06)
Intel Core Duo T2300 1.66 جيجاهيرتز (Apple Computer Mac Mini -Mar 06)
Intel Core Solo T1300 1.66 جيجاهيرتز
34- انتل كور تو Duo
المفضلات