خطوة جديدة إلي الأمام، سامسونج تدخل مرحلة الإنتاج الكمي لـ ذواكر DDR4 بدقة 10nm

سامسونج وفي خلال سعيها لتوفير أحدث الحلول التقنية لشركائها و متابعيها بدأت بالفعل في مرحلة الإنتاج الكمي لذواكر DDR4 DRAM والتي تأتي من الجيل الثاني من تقنية التصنيع 10-nanometer وبسرعة قراءة بيانات 8Gbps (تقرأ 8 جيجابت وليس بايت) ، ذواكر DDR4 بدقة 10nm هذه ستكون هي الأساس الذي ستبني عليه الشركة ذواكر DDR4 RAM الجديدة الخاصة بها في الفترة القادمة، وتعد الشركة مع هذا النوع الجديد من الذواكر بدقة تصنيع 10nm نسبة أداء أعلي من الجيل السابق تصل إلي 10% و كفاءة أعلي ب15% من الجيل الحالي من الذواكر…

وتستطيع ذواكر DDR4 الجديدة والقادمة بدقة 10nm أن تعمل بسرعة 3,600 megabits للذاكرة الواحدة مقارنة بسرعة 3,200 megabits في الجيل السابق (الحالي)، بالتأكيد هذا يعني أن الشركة الأن أصبحت علي أعتاب أن تقدم لنا ذواكر مميزة بسرعات عالية والتي ستكون بالتأكيد متوافقة مع كل من الهواتف الذكية واللوحية والحواسيب والأجهزة الإلكترونية المختلفة…