الحديث يدور منذ فترة عن قدوم هذا النوع من الأقراص الجديد كلياً, والسبب يعود الى أن تلك الأقراص ستكون الأولى من نوعها لشركة إنتل مستخدمة تقنية ذاكرة 3D XPoint الثورية كما تطلق عليها إنتل هذا الإسم. الجديد اليوم هو تسريب خارطة عمل تؤكد الى أن هذه الأقراص القادمة ستكون من سلسلة Optane SSD وسوف تدخل السوق نحو 3 فئات مختلفة وسوف تكون قادمة بنفس وقت قدوم معالجات الجيل السابع تقريباً Kaby Lake, أي في نهاية هذا العام.

بشكل أكثر دقة نلاحظ أن هذه الأقراص ووفقاً لشريحة العرض يمكن أن تصل الى الأسواق إما في نهاية هذا العام أي الربع الرابع, أو بداية عام 2017 أي في الربع الأول. التشكيلة الجديدة تأتي بالإسم الرمزي Mansion Beach, Brighton Beach و Stony Beach. أولاً أقراص Mansion Beach ستكون الأولى التي تصل للأسواق في نهاية هذا العام وهي ستكون عبارة عن أقراص PCIe 3.0 x4 SSD داعمة لواجهة NVMe, بينما أقراص Brighton Beach ستكون أقل منها من ناحية القوة ولكنها ستكون موجهة للباحثين عن أداء يعتمد عليه. هذه الأقراص سوف تستخدم واجهة PCI-E 3.0 x2 ويتوقع لها أن ترى النور في بداية عام 2017. أما أقراص Stony Beach فهي ستكون فقط أقراص موجهة للأنظمة المسرعة بشكل M.2 وبواجهة PCI-E 3.0 x2 ويتوقع لنا أن تصل للأسوق في نهاية هذا العام

ذاكرة 3D XPoint الجديدة للتخزين التي ستخدمها إنتل قريباً مع سلسلة أقراص Optane SSD تمت من خلال تعاونها مع Micron. فإن كنت لا تذكر فلقد ذكرنا في الكثير من الاخبار أن إنتل قدمت ثورتها التقنية مع معيار ذاكرة 3D XPoint الجديدة التي يمكن أن تعمل على كل من DRAM و Flash من خلال تعاون استراتيجي بينهما. وبارتكازه على الأسواق الاستهلاكية، محطات العمل ومراكز البيانات، سيكون معيار ذاكرة إنتل الأحدث أسرع بألف مرة من NANA، وأكثر كثافة بعشر مرات من DRAM وسيمتلك تحمل أكثر بألف مرة من NAND.

ضمن ما ذكرناه سابقاً في الأخبار الماضية, فلقد عاينت إنتل أداء قرص Optane SSD مرة أخرى مقابل قرص P7300 NAND Flash SSD والنتيجة كانت أن NVMe SSD المستندة على  ذاكرة 3D XPoint قدم أداء IOPS أفضل بـ4.42 مرة 15,900 مقابل 70,300 وخمول أقل بـ6.44 مرة 58ms مقابل 9ms. لاحقاً كشفت إنتل أيضاً عن نتائج الأداء باستخدام اوراكل كبرنامج نظام رئيسي حيث اتسعت ثغرة الأداء مع ذاكرة 3D XPoint SSD بحيث كانت أسرع بـ7.13 في ناتج IOPS أي بحوالي 13,400 مقابل 95,600 وقدم خمول أقل بـ8.11 حوالي 73ms مقابل 9ms.

طريقة تصميم 3D التي تعتمدها الذاكرة الجديدة هي السبب في أن الأجهزة المستندة على هذا النوع من الذاكرة ستمتلك كثافة أكثر بعشر مرات عن الحلول التقليدية. مثل DRAM، فإن تلك الذاكرة قابلة للتكديس مما يعني تحقيق سعة أكبر. إذا وأخيراً سنشاهد أولى تلك الأقراص تطلق على أرض الواقع بعد أن كان حلماً وكلاماً على ورق في الماضي.