الرئيسية الأخباردقة التصنيع 3nm من TSMC تستطيع وضع 250 مليون ترانزستور لكل ملم² !!

هل تخيلت من قبل أن تعرف ما الذي يمكن أن تقدمه دقات التصنيع المختلفة من ناحية الحجم الخاص بالمعالجات ؟!، في الحقيقة تقنية تصنيع TSMC الجديدة قد تعطيك توقّعاً لذلك حيث أنه من خلالها يمكنك تصنيع معالج Pentium 4 ف حجم رأس الدبوس !! . قد يبدو ذلك مستحيلاً ولكن الأمر ليس كذلك حيث كشفت TSMC أن عقدة تصنيع السليكون بدقة 3 نانومتر المستقبلية تم وضع احد أهدافها وضع 250 مليون ترانزستور لكل ملم² . وسيتم تُسميتها N3 ، لتكون عقدة تصنيع السيليكون من الجيل التالي خلف عائلة N5 من TSMC المنصعة من عقدة تصنيع 5nm (والمقصود هنا كل جيل N5 وأي تحسينات محتملة لهذه الدقة) .

3nm من TSMC 5nm CPU GPU ترانزستور Transistor

وأكد CC Wei الرئيس التنفيذي لشركة TSMC أن تطوير عقدة التصنيع 3nm يسير على الطريق الصحيح ، حيث من المقرر البدء في عملية الإنتاج المُخاطِرة في عام 2021 وستدخل الدقة في مرحلة الإنتاج الكمّي في النصف الثاني من عام 2022 . ولعل الأمر الأكثر إثارة للدهشة هو أن الشركة قررت التمسك بعملية (تقنية) تصنيع FinFETs لـ N3 بسبب نضج التكنولوجيا لديهم ، بالرغم أن بعض الخبراء يرى أن عُقد التصنيع تحت 5nm ستتطلب ابتكارات جديدة في طريقة التعامل مع المواد والتصميمات .

وأخيراً تدّعي شركة TSMC أن N3 ستوفر تحسينًا في السرعة بنسبة 10-15٪ مع الحفاظ على مستويات الطاقة أو 25-30٪ من ناحية السرعة ، مقارنة بـ N5 .

Advertisement