
7 فروقات أساسية بين ذواكر DDR4 و DDR5 يجب أن تعرفها!
ثورة التكنولوجيا لا تقف، وبصدور معالجات الجيل الجديد من إنتل بدأت ذواكر الوصول العشوائية DDR5 بالظهور على الساحة، إليكم 7 فروقات أساسية بين ذواكر DDR5 وذواكر DDR4.
بدأت الشركات المصنّعة بالفعل في الإعلان عن ذواكر الوصول العشوائي DDR5 الخاصة بها وأصبح العديد من الشركات على أتم الإستعداد لإطلاق الذواكر DDR5 مع إطلاق الجيل الجديد من معالجات إنتل Alder Lake-S الذي سيكون داعمًا لتلك التقنية الجديدة والتي ستتفوق في تقديم الأداء العالي على الحاسب الشخصي.
لا يعلم البعض عن الفرق بين الجيل الفائت من الذواكر DDR4 والجيل الجديد DDR5، لذا نوضح 7 فروقات أساسية بين ذواكر DDR4 وذواكر DDR5 حتى تصل الصورة بشكل كامل للمتسخدمين ونساعدهم في أخذ القرار الصائب بين التحديث إلى DDR5 أم لا.
المظهر الخارجي:
نرى في الصورتين إختلاف كبير في شكل الـPCB، يوجد مساحة إضافية في نموذج DDR5 لوضع الـIC الأصغر والمكثفات، نرى ايضًَا أن مكان المزلاج للتوصيلات الذهبية قد تم تغيير مكانه أقرب إلى المنتصف، كانت الشركات المصنعة تحاول وضع ذلك المزلاج في المنتصف وقد بدأ بالفعل تحريكه منذ DDR3 وها نحن أقرب إلى المنتصف في DDR5 رغم اقترابه لجانب من الجوانب، ذلك يجعلنا نحذّر المستخدمين أن لا يضعوا الذواكر بالشكل الخاطئ مما قد يؤدي إلى كسرها عند الضغط عليها بشكل زائد إعتقادًا أنها في المكان الصحيح.
السعة:
في عصر DDR4 كانت اقصى سعة ممكن الوصول إليها في الذاكرة الواحدة 32 جيجابايت، وبحكم اللوحات الأم التي كانت تدعم 2DPC (Dimm Per Channel)، أعلى سعة كان من الممكن الوصول إليها بوجود ذاكرتين معًا هي 128 جيجا بايت للنظام ككل، ولكن في عصر DDR5 تقدمت التقنية كثيرًا مما جعل 128 جيجا بايت هي اقصى سعة يمكن الوصول إليها في الذاكرة الواحدة المنفردة!
إذا إستعملنا نفس اللوحة الأم التي تدعم 2DPC على الذواكر الجديدة DDR5 يمكن الوصول إلى ذاكرة وصول عشوائي بسعة 512 جيجا بايت في جهاز شخصي واحد، بهذة السعة من الصعب تخيل تعدد المهام الذي سيكون الحاسب الشخصي قادرًا عليه، تلك الـ512 جيجا بايت من السعة هي الحجم الإعتيادي لوحدات تخزين SSD هذه الأيام، نتطلع لأداء الذاكرة الواحدة ذات سعة 128 جيجا بايت عند الإنتهاء من تطويرها.
الترددات:
إذا كنت من اللاعبين الذين يهتمون بسوق الذواكر، ستكون قد لاحظت أن التردد التي تبدأ به ذواكر DDR5 هو 4800 ميجا هرتز، وسوف تلاحظ أيضًا أن ترددات الذواكر تزيد بمعدل ثابت وهو الضعف تقريبًا للجيل الفائت، ذواكر DDR3 كانت تعمل بتردد 1066 ميجا هرتز، ذواكر DDR4 كان التردد الأولي لها 2133 ميجا هرتز، و الآن التردد الأولي لذواكر DDR5 هو 4800 ميجا هرتز، لا نعلم بعد هل ستتواجد ترددات 4366 ميجا هرتز في المستقبل أم لا، ولكن الشيء الأكيد والذي يجب أن نكون سعداء به هو أن النموذج الاولي لذواكر DDR5 يصل إلى ترددات تتخطى التردد الأولي المتوقع حسب النمط التي تنمو به ترددات الذواكر، نصدق أيضًا أن كسر سرعة تلك الذواكر سيكون مثيرًا للاهتمام وسوف يفتح لنا أفق جديد للترددات.
الهيكل الداخلي:
فئة DDR5 تستخدم 32 بنكًا للبيانات (البنك هو وحدة تخزينية منفردة داخل الذاكرة يمكن تفعيلها أو إلغاء تفعيلها بشكل فردي)، ينقسم الـ32 بنك إلى 8 مجموعات، هذا ضعف ما كانت عليه ذواكر DDR4 حيث أنها كانت تستخدم 16 بنك للبيانات فقط منقسم إلى 4 مجموعات، وعلى غير المعتاد في ذواكر DDR4 التي كانت تعجز عن القيام بأي مهام أثناء تحديث بيانات البنوك، تأتي DDR5 بتقنية تجعلها تعمل بشكل متكامل أثناء تحديث بيانات البنوك بالتقنية الجديدة التي فصلت بنوك المعلومات عن بعضها لذا إذا إحتاج بنك إلى تحديث لن يضطر باقي البنوك التوقف عن العمل حتى يتمم تلك المهمة بل سيعمل الباقي بشكل طبيعي، كل تلك الإختلافات والتقنيات في الهيكل الداخلي للذاكرة أدت إلى وصول DDR5 إلى ضعف أداء DDR4.
الجهد الكهربي:
بتطور الأجيال تلجأ كل الشركات المصنعة إلى ترشيد إستهلاك الكهرباء في قطع الهاردوير، لذا بصدور الجيل الجديد DDR5 أصبحت الذواكر تعمل بجهد 1.1 فولت في حين الجيل الفائت DDR4 كان يعمل بجهد 1.2 فولت، والجيل الذي قبله DDR3 كان يعمل بجهد 1.5 فولت، ذلك التطوير أدى إلى وصول DDR5 إلى ضعف أداء DDR4 وبجهد كهربي أقل ايضًا!
تنظيم الطاقة:
مهمة تنظيم الطاقة كانت بشكل كامل في اللوحة الأم، ولكن بدخول الجيل الجديد DDR5 أصبح تنظيم الطاقة في الذاكرة نفسها، بوصول الجهد الكهربي الذي تحتاجه الذاكرة إلى 1.1 فولت أصبح من السهل إدارة الكهرباء الداخلة والخارجة من الذاكرة في الذاكرة نفسها، بوجود بعض الـIC الصغير نسبيًا وبعض المكثفات موصولين بشريحة الذاكرة DDR5 نفسها أتاح ذلك للذاكرة مهمة تنظيم الطاقة، خصوصًا أن الذاكرة ستحتاج إلى أداة تجعلها تميّز الإشارات الكهربية المقصودة لها والمقصودة لغيرها حتى لا تصل للفشل الكامل للنظام، وهذا يقودنا إلى الإختلاف التالي بين الذاكرة DDR4 وDDR5 وهي تقنية On-die EEC.
تقنية On-die EEC:
الأسم الكامل لتلك التقنية هو Error-Correcting Code، وهي تقنية تصحيح الخطأ التي تُستخدم في جميع قطع الهاردوير هذه الأيام، يمكنها جعل الذاكرة ثابتة أكثر عن ذي قبل، في الماضي احتاجت تلك التقنية إلى موصل كهربي (IC) زائد لتصحيح الأخطاء، لذا سترى 9 موصلات كهربية في جانب تصحيح الخطأ على الذاكرة DDR4 القديمة بدلًا من 8، ويجب أيضًا أن يتم دعم تلك الموصلات باللوحة الأم أو المعالج حتى تتمكن من تشغيل تلك الخاصية.
جيل DDR5 من الذواكر مختلف تمامًا عن الأجيال السابقة، كل موصل كهربي يأتي بـ ECC منفرد بداخله، خاصية تصحيح الخطأ الأوتوماتيكية تلك تتيح للنظام المستخدم لذواكر DDR5 أن يتعامل مع الأخطاء بشكل أفضل وأن لا يحدث فشل كامل للنظام بسبب تلك الأخطاء الكهربية.
الأن وبعد التعرف على الفروقات الأساسية بين ذواكر الوصول العشوائية DDR4 وDDR5 يمكنك أخذ القرار السليم في التحديث، وبصدور المعالجات للجيل الجديد في بداية شهر نوفمبر القادم ستتمكن من تجربة ذواكر DDR5 الجديدة بنفسك.
تتقدم التكنولوجيا بشكل سريع في هذه الحقبة الزمنية وسرعان ما سنجد ذواكر DDR5 تصل إلى سرعات خرافية بكسر السرعة مع معالجات الجيل الثاني العشر، أنتظروا مراجعتنا لمعالجات ولوحات وذواكر الجيل الجديد مع إطلاق المعالجات رسمياً في 4 نوفبر المُقبل.
?xml>