سنتحدث في هذا الجزء عن تكنولوجيا الذاكرة العشوائية و كيفية اختيارها و كيفية التمييز بين الذواكر المتاحة في الأسواق.

التردد:

ويقصد به عدد النبضات clocks التي تنبض بها ذاكرة ما خلال ثانية واحدة، وكلما زاد التردّد لذاكرة ما، كلما زادت كمية المعلومات التي يمكن للذاكرة نفسها أن تقوم بنقلها (ويتضمن ذلك كتابتها أو قراءتها) خلال واحدة الزمن نفسها،

الأمر الذي ينتج عنه فترة انتظار أقل للمعلومات من قبل المعالج، وبالتالي فرصة أكبر لاستغلال أقصى حد ممكن من أداء المعالج دون إبطائه في انتظار البيانات،وبالتالي، فإنه نظريا يزداد التردّد كلّما ازداد تردّد الرام في جهاز معين، أما في الواقع العملي فمعالجات إنتل لا تعطي زيادة ملحوظة في الأداء عند زيادة تردّد الذاكرة عن 667 ، أما معالجات AMD فتستفيد من زيادة تردّد الذاكرة بحكم تقنيّة الهايبرترابنسبورت لكنها لا تدعم ترددات أعلى من 800 ميغا، ولقد وصلت إلى التردد 1066 مع معالجات الفينوم الجديدة وما سيأتي بعدها.

 

 

الذاكرة العشوائيّة (الرام)

وبالإضافة لما سبق، فإن ارتفاع تردّد الرام من شأنه أن يؤمن عرضاً إضافياً في الحزمة، والذي تتناسب قيمته طردا مع زيادة التردّد، ويعرّف عرض الحزمة هنا أنه أكبر كمية ممكنة من البيانات يستطيع الناقل أن يقوم بنقلها من وإلى الذاكرة خلال ثانية واحدة.

وتتوافر ذواكر DDR2 بتردّدات مرتفعة كـ 1000 1066 1200 ميغا، و هذه الذواكر لا تقدم أي زيادة ملموسة في الأداء، لكنها مفيدة جداً للراغبين بكسر سرعة معالجاتهم لأرقام كبيرة، قد لا تسمح بها الذواكر الأقل تردداً من ذلك.
أما ذواكر DDR3 فهي تتوافر حتى بتردّدات أعلى من ذلك، وهي مع التطبيقات الحالية لا تعطي أي فارق يذكر في الأداء عند مقارنتها بذواكر DDR2.

التواقيت:

سميت الذاكرة العشوائيّة عشوائيّة لأنها تعتمد على إثارة الخلايا المتوضّعة على شكل شبكة مؤلفة من أعمدة Column (عموديّة) و اسطر Raws (أفقيّة) بشكل عشوائي، والمقصود من كلمة عشوائي هنا تحديداً هو القدرة على إثارة الخليّة المطلوبة مباشرةً دون الاضّطرار للمرور على جميع الخلايا التي تسبقها بدءاً من أول خلية وصولاً إليها كما كان الأمر مع الذواكر سام SAM التسلسلية (Serial Access Memory).

و يتألّف كل عمود و كل خط من عدد من الخلايا، بحيث يتقاطع كل عمود مع كل سطر بخليّة واحدة، ويتم استثارة هذه الخليّة عن طريق تفعيل الخط والعمود الذين يتقاطعا في هذه الخليّة لكي تتم عمليّة القراءة أو الكتابة للمعلومات الموجودة عليها، ولا بد من وجود زمن تأخير ما بين إرسال الإشارة الكهربائيّة إلى السطر أو العمود وما بين تفعيله فعلا، و هذا الزمن القصير جداً يطلق عليه التوقيت، ويوجد للذاكرة عدة تواقيت اذكر منها على سبيل المثال لا الحصر، توقيت تفعيل العمود، توقيت إلغاء تفعيل، العمود توقيت تفعيل سطر ..الخ، و من هنا تتضح أهمية دور التواقيت في التأثير على سرعة عمل الرام، فهي إذا أردنا الإنصاف ذات تأثير على الأداء لا يقل عن تأثير التردد، ويعتبر التوقيت الأهم و الأكثر تأثيراً في جميع الذواكر هو زمن تفعيل العمود و احد الأزمنة الأقل أهمية هو زمن تفعيل السطر، ذلك أنه ما إن تم تفعيل السطر فإنه قد أصبح بالإمكان النفاذ إلى جميع الخلايا الموجودة ضمنه بمجرد تفعيل الأعمدة المتقاطعة معه بشكل متسلسل، وبالنظر إلى أن أغلب عملياّت القراءة التي تقوم بها الذواكر العشوائيّة هي من هذا النوع (بحكم توضع المعلومات المرافقة لبعضها على شكل سلسلة ضمن السطر نفسه والأسطر التي تليه) فان تأثير زمن تفعيل العمود CAS على أداء الذاكرة يصبح واضحاً و مفهوم السبب.

وعادة ما تكتب الشركات المصنّعة للذواكر 4 تواقيت فقط على هذا الشكل:4-4-4-12 أو 5-5-5-15
التوقيت الأول وهو 4 في المثال الأول و 5 في المثال الثاني هو زمن CAS أو CL ء (CAS Lattency ) الأهم والأكثر تأثيراً على أداء الرام.
وهذه الأرقام تدل على عدد النبضات (والتي يقاس بها التردّد) لا الثواني (أو اجزائها) المستغرقة للتفعيل أو إبطال التفعيل،وعادة ما تأتي الذواكر بعدة إصدارات مختلفة في التواقيت و إن تماثلت في التردّد، و الذواكر ذات التواقيت الأقل عدا عن كونها أعلى أداءاً، فهي تعطي فرصة أكبر لكسر سرعتها عن طريق إتاحة المجال لمزيد من رفع التردّد عند تخفيض تواقيتها.

الحجم:

يعتبر الحجم العامل الأهم المؤثر على سرعة أداء الجهاز، فالذاكرة العشوائيّة هي محط البيانات التي يعمل عليها الجهاز أثناء فترة تشغيله بحيث يتم تحميل ملفات برنامج التشغيل إلى الرام أثناء إقلاع الجهاز، كما يتم تحميل ملفّات برنامج معين أثناء تشغيله، والهدف من وجودها هو تأمين مقر لأهم البيانات التي يعمل عليها الحاسب عوضاً عن القرص الصلب الذي يعتبر بطيء جداً لهذه المهمة، وهذا هو السبب الأساسي وراء ابتكار الذواكر العشوائيّة عوضا عن تشغيل البرامج من القرص الصلب مباشرة.

وتوفير حجم أكبر من الذاكرة العشوائيّة من شأنه إفساح المجال لنقل كمية اكبر من البيانات إليها والإبقاء عليها هناك حتى يحتاجها المعالج عوضاً عن الاضّطرار لقراءتها من القرص الصلب، وعلى هذا فإن حجم الرام يعتبر من أهم العوامل المؤثرة على أداء الجهاز ككل، وانخفاضها عن حد معين يؤدي إلى بطئ كارثيّ في مختلف التطبيقات،وينصح بأن لا يقل حجم الذاكرة العشوائيّة عن 512 ميغا بايت بالنسبة لويندوز إكس بي و 1 غيغا بايت بالنسبة لويندوز فيستا، وذلك في أسوأ الأحوال وفي حال كان الجهاز مخصصاً للاستخدامات البسيطة، أما الحد الموصى به فهو 2 غيغا بايت وذلك مع التطبيقات ونظم التشغيل الحاليّة.

الماركة:

يعتبر عامل الماركة عامل هام في اختيار الرام بشكل خاص دوناً عن باقي القطع، ذلك أن الكثير من مشاكل الاستقرار التي تصادف الأجهزة المجمّعة مردّها شراء أنواع رديئة من الذواكر أو وحدات الطاقة، بالإضافة إلى كثرة الأعطال في الذواكر ذات النوعيّات الرديئة ناهيك عن أن البعض منها قد تأتي وهي معطوبة، وعلى هذا فإن شراء الذاكرة العشوائيّة من ماركة جيّدة ومعروفة حتى لو كلف مبلغاً إضافيّاً من المال هو تصرف حكيم عند تجميع جهاز.
وهذه بعض أشهر الماركات المصنّعة للذواكر:
Kingston , OCZ , G.SKILL , Crossair , A-DATA ,

سؤال شائع جداً عند شراء الذاكرة العشوائيّة:

هل اشتري قطعة رام واحدة ام قطعتين؟


يفضّل عادةَ شراء قطعتين حتى يتم تفعيل تقنيَة Dual channel،ويجب وضع قطع الذاكرة في تسلسل معيّن على الشقوق حتى يتم تفعيل التقنيّة، ويعرف ذلك التسلسل بالرجوع لدليل اللّوحة، حيث أن ذلك يختلف من لوحة لأخرى،كما أنه من الممكن أن يختلف التسلسل بين قطع الذاكرة فيما اذا كانت ثنائيّة الوجه (double side ) أو أحاديّة الوجه (single side)، و أغلب الذواكر المنتشرة في الأسواق أحاديّة الوجه.

أمّا في حال المفاضلة بين قطعتين أو أربع قطع، فعندها ترجح الكفة لصالح القطعتين أيضا و ذلك لأن القطع الأربعة ستشكل ضغطاً أكبر من قطعتين اثنين على متحكّم الذاكرة، وهو ما يضعف الأداء ولكن بسيط جداّ يصعب ملاحظته، لذا ينصح الشخص المقبل على الشراء بشراء قطعتين عوضا عن أربعة. أما الشخص المقبل على زيادة حجم الذاكرة، لديه فلا مشكلة أبداً من شراء قطعتين إضافيتين ليصبح المجموع أربعة، عوضاً عن رمي القطعتين القديمتين والشراء من جديد.

ملاحظات

تأتي بعض الذواكر بمشتّتات معدنيّة للحرارة (كما في الصورة) ومهمّتها تأمين تبريد إضافي لشرائح الذاكرة، إذ أن بعض الذواكر الاحترافيّة عند التردّدات المرتفعة تطلق كمية لا يستهان بها من الحرارة، إلا أن زيادة تبريد هذه الشرائح لا يرفع من سقف كسر سرعتها بشكل كبير كما مع المعالجات.

الذاكرة العشوائيّة (الرام)

صورة لذاكرة مزوّدة بمشتّت

عند شراء ذاكرة بتردّد مرتفع قد تلاحظ توافر عدة موديلات تختلف بالفولتيّة، و الفولتيّة الأعلى تعكس جودة أقل في الخامات المستخدمة في صناعة الذاكرة، في مقابل الذواكر الأجود التي تستطيع الوصول لتردّدات أعلى دون الاضّطرار إلى رفع الفولتيّة.

تتوافر بعض الرامات التي كتبت عليها عبارة SLI Certification وهذه الرامات تزيد عن الرامات العاديّة بشيئين:
1-دعمها لتقنيّة EPP.
شرح بسيط للتقنيّة المذكورة،من المعلوم أن اللوحة الأم تتعرّف على التوقيت والتردّد المناسب لذاكرة ما من خلال قراءة المعلومات الموجودة في وحدة SPD، والتي هي عبارة عن نوع من الذواكر شبيه جداً بذواكر الفلاش المعروفة، تقوم الشركة المصنّعة للذاكرة فيه بكتابة التواقيت المناسبة للذاكرة لكل تردد، بالإضافة إلى التردد الافتراضي لها.
الميزة التي توفرّها التقنيّة المذكورة هي أنها توفّر أكثر من وضع واحد Profile للتواقيت، ويتم اختيار أنسب وضع للعمل به تلقائياً بما بلائم أقصى حد ممكن من الأداء مع الحفاظ على الاستقرار التام، وكما يمكن استخدامها عند القيام بكسر السرعة لاختيار أكثر وضع ملائم لرفع تردد الذاكرة.


2- أنّها مصرّح بها من قبل إنفيديا بأنها متوافقة مع العتاد المصرّح به من قبلها، وعلى هذا فهي متوافقة تماماً مع لوحات الإتفورس التي تعاني من مشاكل في التوافقيّة مع بعض أنواع الذاكرة.

وهذه رابط بقائمة بأنواع الذواكر المذكورة:
http://www.slizone.com/object/slizone_build_mem.html

أيضا تتوافر ذواكر كتبت عليها عبارة CrossFire Certification: وهذه الذاكرة تزيد عن العاديّة فقط بأنها مصرّح بها من قبل ATI بأنها متوافقة مع العتاد المصرّح به من قبلها،على أي حال، فان جميع شركات اللوحات الأم توفر على موقعها وفي صفحة كل لوحة، قائمة بأنواع الذواكر المصرّح بها على أنها متوافقة تماماَ من قبل الشركة المصنعة للوحة الأم.