سامسونج: الجيل الثاني من دقة تصنيع 10nm أصبحت جاهزة للإنتاج

أعلنت سامسونج أن الجيل الثاني لدقة تصنيع 10nm FinFET وهي 10LPP (Low Power Plus) التي تم تأهيلها قد أصبحت الأن جاهزة لمرحلة الإنتاج. مع تحسين أكبر في بنية تصميم 3D FinFET، فإن ذلك قد سمح لدقة تصنيع 10LPP بأداء أعلى بنسبة 10% أو استهلاك طاقة أقل بنسبة 15% مقارنة مع الجيل الأول لدقة 10LPE (Low-Power Early) والجيد أنها أتت مع نفس مساحة التحجيم.

كلنا يعلم أن سامسونج كانت الأولى في مجال الصناعة التي بدأت بالإنتاج الشامل لشرائح SoC على دقة 10LPE في أكتوبر من العام الماضي, فعلى سبيل المثال الهواتف الذكية Samsung Galaxy S8 الحديثة مشغلة بواسطة تلك الشرائح SoC المصنوعة بتلك الدقة. وبما أن هناك توقعات على حصول طلب كبير على تلك الدقة فلقد جهزت سامسونج لخطوات مهمة لتلبية الطلب طويل الأمد لدقة تصنيع 10nm وذلك لمجموعة واسعة من العملاء، من خلال تركيب معدات الإنتاج المناسبة في مصنع S3-line الأحدث لها في هواسوننغ ، كوريا الجنوبية. هذا المصنع S3-line مع تلك التجهيزات يتوقع له أن يكون جاهزاً لمرحلة الإنتاج بحلول الربع الرابع لهذا العام.

ولا ننسى كذلك أن سامسونج قد وضعت كلاً من دقة تصنيع 8nm و 6nm إلى خارطة تصنيعها المقبلة لتوفر قابلية توسع أكبر، إضافة لمزايا الطاقة والأداء أثناء مقارنتها مع دقة التصنيع الحالية. الجيد أن دقات التصنيع الجديدة سترث جميع الابتكارات من دقة تصنيع 10nm الحالية ليضاف لها تحسينات البنى التحتية للتصميم المتبع مع رقاقات السيليكون لتلبية الاحتياجات الاستهلاكية المتنوعة ولتوفر تنافسية تكلفة أكبر.

تعليقاً على ذلك قال السيد Ryan Lee من سامسونج "مع تجربة إنتاج 10LPE الناجحة، فقد بدأنا إنتاج 10LPP للحفاظ على ريادتنا في سوق أشباه الموصلات. 10LPP سيكون أحد عروضنا الرئيسية في التصنيع من أجل تطبيقات الشبكة والحوسبة، موبايل ذات أداء عالي، كما أن سامسونج سوف تستمر بعرض تقنية التصنيع الأحدث والأكثر تقدماً لها" بشكل عام يتضح للجميع أن هناك خطوات مدروسة بعناية تقوم بها سامسونج في مجال دقة التصنيع مما سيساعدها في المستقبل من خطو خطوات ربما تتجاوز فيها منافسيها.