
سامسونج تبدأ مرحلة الإنتاج الكمي لأول رقاقات SoC بدقة 10nm!
أعلنت شركة سامسونج بشكل رسمي عن بدئها لمرحلة الإنتاج الكمي لمنتجات نظام على رقاقة أو ما يعرف بـ SoC بدقة تصنيع 10nm FinFET الذي يجعلها الأولى في مجال الصناعة! هذا الامر لا يمكن المرور عنده بشكل سريع, فوصول سامسونج الى دقة تصنيع 10nm وجعلها في مرحلة الإنتاج الكمي وهو ما يقصد به القدرة على إنتاج كافة الطلبات التي تصلها بكفاءة عالية وسرعة إنتاجية كبيرة سيجعلنا نشاهد تحسن ملحوظ على رقاقات SoC بغض النظر عن نوعية المنصة التي تعمل عليها.
إن تحدثنا عن مميزات تقنية تصنيع 10nm FinFET (10LPE) الجديدة من سامسونج فأول ما سوف نراه كخطوة جديدة هي بنية ترانزيستور ثلاثية الأبعاد المتقدمة مع تحسينات إضافية في كل من تقنية التصنيع المستخدمة وألية تنفيذ التصميم مقارنة مع سابقتها المستخدمة بكثرة اليوم دقة تصنيع 14nm، كل هذه الخطوات سمح بزيادة بنسبة 30% في كفاءة المساحة لدقة 10nmمع أداء أعلى بنسبة 27% أو استهلاك طاقة أقل بنسبة 40%!
هذه الأرقام ستسمح لنا برؤية تحسن ملحوظ وبنسبة كبيرة لمستوى رقاقات SoC في أي مجال كانت تستخدم به, خاصة لو كانت المعمارية المستخدمة قوية للغاية, فكما نعلم المعمارية القوية وفي حالات كثيرة تعاني بعدم إمكانية إخراج كامل قوتها على دقة التصنيع الحالية مما يستدعي الحاجة الى دقة تصنيع أفضل, وبهكذا مواصفات وهكذا مميزات ستفتح سامسونج الباب على مصراعيه للشركات لإستخدام تلك الدقة. مع ذلك نتوقع بنفس الوقت لحاق شركات أخرى في مجال أشباه الموصلات بتقديم هذه الدقة أيضاً.
إذاً بعد تقديم الجيل الأول من دقة تصنيع 10nm process (10LPE) من سامسونج، فإن جيلها الثاني (10LPP) سيعزز من الأداء بنسبة أفضل, ويتوقع أن يصل الى مرحلة للإنتاج الكمي في النصف الثاني من عام 2017. بجانب ذلك تخطط الشركة للاستمرار في ريادتها مع تشكيلة من المعالجات المتميزة لتلبية احتياجات مجموعة واسعة من التطبيقات.
كما علمنا فإن رقاقات SoC المصنعة بدقة تصنيع 10nm سوف تستخدم في الأجهزة الرقمية التي سيتم إطلاقها في السنة المقبلة ويتوقع لها أن تصبح متوفرة على نحو أوسع خلال عام 2017...هل يعني ذلك أنها ستكون موجهة الى فئة معينة؟ لا نعتقد ذلك ولكن قد يكون هناك ترقب من بعض الشركات خاصة أن شركات مثل GF قد ألغت توجها نحو دقة 10nm لتطرح دقة تصنيع 7nm لاحقاً في العام القادم تقريباً.