
سامسونج تبدأ الأنتاج الكمي لأسرع رقاقة ذاكرة داخلية للهواتف بالعالم بحجم 256GB
بعد مشاركتها الفعالة في مؤتمر MWC 2016, كشفت سامسونج عن دخولها في مرحلة الانتاج الكمي لأول رقاقة ذاكرة داخلية بحجم 256GB وذلك باعتمادها على معيار UFS 2.0 الجيل الثاني السريعة للغاية مع حجمها الصغير.
أكثر ما سوف يصدمك ويعجبك بنفس الوقت هو أن الجيل الثاني من رقاقات ذاكرة التخزين الداخلية للهواتف بمعيار UFS 2.0 ستأتي متخطية لسرعة النقل التي توفرها أقراص SSD القائمة على منفذ SATA للحاسوب!! فالسرعة التي تستطيع أن تقوم بها هذه الرقاقة الداخلية لتخزين البيانات ونقلها تصل الى 850MB/s للقراءة, بينما تصل الى 260MB/s للكتابة. وهذا يعني سرعة أكبر بثلاثة مرات من أفضل أنواع ذواكر micro SD.
أما سرعة عمليات الإدخال والإخراج يصل الى 45 ألف للقراءة في الثانية و 40 ألف للكتابة في الثانية, وهو ما يعني ضعفي سرعة الجيل الأول من معيار ذاكرة UFS. كل ذلك يعود كما تشير سامسونج بالفضل لتقنية ذاكرة V-NAND الأحدث على الإطلاق.
بماذا يمكن أن تفيدنا هذه الذاكرة إن وجدت في الهواتف المستقبلية؟
يمكن أن تفيد بقدرتها على توفير مشاهدة وتسجيل للفيديوهات بدقة 4K بكل سهولة, كما سوف يكون نقل وتشغيل, بالإضافة الى تجربة الالعاب بشكل أفضل بكثير نظراً للسرعة العالية التي توفرها هذه الذاكرة الجديدة. الذاكرة الجديدة ستدعم واجهة منفذ USB 3.0 مما يعني قدرتها على نقل فيديو بدقة 1080 بكسل بمدة 90 دقيقة فقط خلال 12 ثانية!
ربما الهاتف الذكي Galaxy Note 6 قد يكون أول هاتف يحصل على هذه الذاكرة ليحطم بذلك كل ما هو منافس له, مع التوقع الأكبر برؤية هذا الهاتف يصل للأسواق في شهر سبتمبر. إذا هو تطور كبير للغاية من سامسونج فنحن نتحدث هنا عن سرعة تتفوق فيها على أقراص SSD بواجهة SATA كما تحقق سرعة أكبر بثلاثة مرات من أفضل ذاكرة micro SD.
?xml>