سامسونج تضع دقة تصنيع 8nm/6nm في خارطة عملها

هناك منافسة واضحة في مجال أشباه الموصلات وهذا التنافس يجعل كل شركة تقدم أفضل ما لديها من ناحية تحسين عملية تصنيع رقاقاتها باستخدام أحدث التقنيات, سامسونج من ضمن تلك الشركات الرائدة في هذا المجال والتي على ما يبدو تخطط لوضع دقة تصنيع 8nm و 6nm ضمن خارطة العمل الحالية التي أقرتها مؤخراً والتي للأسف لا نمتلك معلومات مفصلة عنها نظراً لعدم كشف كافة التفاصيل الخاصة بخارطة العمل الجديدة.

مع ذلك كما عودنا متابعينا لدينا بعض التفاصيل التي تتعلق بالدقات الجديدة. قبل حديثنا عن تلك الدقات استطاعت سامسونج أن تزيد من كمية إنتاجها لدقة تصنيع 10nm FinFET بشكل واضح وذلك يعود الى شحن أكثر من 70 ألف شريحة سيليكون المصنوعة من جيلها الأول لدقة تصنيع 10nm LPE التي دخلت مرحلة الإنتاج الكمي لأول مرة في شهر أكتوبر من عام 2016. بينما في عام 2015، قدمت سامسونج تقنيتها الأولى في المجال وهي 14nm FinFET LPE التي كانت موجهة نحو مجال الموبايل المستندة على بنية 3D FinFET, ومنذ ذلك الحين قدمت سامسونج بنجاح تحسينات أكبر في الطاقة، الأداء وقابلية التوسع لكل من تقنيتي 14nm و 10nm FinFET من نوعية (Low Power Early).

فحتى نائب الرئيس التنفيذي لشركة سامسونج السيد Jongshik Yoon تحدث بشكل واضح قائلاً أن دقة تصنيع 10nm LPE تعتبر مغيره لقواعد اللعبة في مجال المسابك, وبعد إطلاق دقة تصنيع 10nm LPE سيكون هناك دقة 10nm LPP و LPU اللتان ستدخلان مرحلة الإنتاج الكمي بنهاية العام الحالي والعام القادم. هذا الكلام يؤكد على نية سامسونج من زيادة هذا النجاح التي تحققه مع تلك الدقة وتجهز بنفس الوقت للمستقبل مع دقة 8nm و 6nm.

فإضافة تقنيات تصنيع 8nm و6nm إلى خارطة تصنيعها المقبلة ستوفر قابلية توسع أكبر، إضافة لمزايا الطاقة والأداء أثناء مقارنتها مع دقة التصنيع الحالية. الجيد أن دقات التصنيع الجديدة سترث جميع الابتكارات من دقة تصنيع 10nm الحالية ليضاف لها تحسينات البنى التحتية للتصميم المتبع مع رقاقات السيليكون لتلبية الاحتياجات الاستهلاكية المتنوعة ولتوفر تنافسية تكلفة أكبر...أخيراً سنكون معكم لاحقاً بتفاصيل أكثر خلال منتدى مسبك سامسونج في 24 مايو من هذا العام.