
سامسونج تعلن عن تصنيع رقاقات بدقة تصنيع 11nm LPP و 7nm LPP في عام 2018
أعلنت سامسونج اليوم بكل فخر أنها أضافت تقنية تصنيع 11nmLPP FinFET لتشكيلتها في المسابك المتقدمة، لتعرض للعملاء مجموعة أوسع من الخيارات لجيلها التالي من المنتجات. من خلال تدرج أكبر من دقة تصنيع 14LPP الأسبق، فإن 11LPP تقدم ما يصل إلى أداء أعلى بـ15% وتخفيض مساحة الرقاقة تصل إلى 10% مع نفس استهلاك الطاقة وهو شيء مهم جداً في عالم الموبايل.
ما تتوقعه الشركة أن تجلب لها دقة تصنيع 11nm قيمة متميزة إلى قسم الهواتف الذكية من فئة متوسطة إلى فئة عليا, في الوقت الحالي تم وضع دقة التصنيع الجديدة في مرحلة العمل وجدولتها لتكون جاهزة للإنتاج في النصف الأول من عام 2018. بنفس الوقت أكدت سامسونج أيضاً أن تطوير دقة تصنيع 7LPP مع تقنية ليثوغرافي EUV تم وضعه على خارطة العمل وتم تحديد إنتاجها الأولي في النصف الثاني من عام 2018, لنراه مستخدماً ربما مع رقاقة Apple A12 الخاصة بهاتف iPhones الجيل القادم.
منذ 2014، عالجت سامسونج ما يقارب 200 ألف شريحة مع تقنية ليثوغرافي EUV وبناء على تجربتها فقد شهدت نتائج واضحة في تطوير التصنيع مثل تحقيق ريع بنسبة 80% لـ256Mb SRAM (ذاكرة وصول عشوائي ثابتة).
وتعليقاً على هذا الإعلان تحدث السيد Ryan Lee نائب الرئيس و رئيس تسويق المسابك قائلاً "سامسونج أضافت دقة تصنيع 11nm إلى خارطة عملها لتضيف خيارات متقدمة لتطبيقات متنوعة. من خلال ذلك، أكملت سامسونج خارطة تصنيع شاملة تتراوح من 14nm إلى 11nm, 10nm, 8nm, و 7nm في الثلاث سنوات قادمة".
تفاصيل المستجدات الأخيرة لخارطة عمل مسبك سامسونج بما في ذلك توفر دقة 14nm LPP ووضع دقة 7nm EUV المستقبلية، سوف تكون أكثر وضوحاً ضمن منتدى منتجى مسبك سامسونج في 15 سبتمبر 2017 في اليابان, طوكيو. هذا المنتدى قد أقيم في الولايات المتحدة وكوريا الجنوبية سابقا هذا العام، الذي يشارك تقنيات تصنيع متطورة للشركة مع الشركاء والعملاء العالميين.