مع اقتراب وصول تقنية تصنيع أشباه الموصلات التقليدية إلى الحد الأقصى لها في قطاع NAND flash، فإن المنتجين لرقاقات الذاكرة مستعدين لتبني تقنيات إنتاج 3D كي يعززوا من قدرة أجهزتهم.

بحلول عام 2017 مايقارب الثلثين أو 65.2% من رقاقات ذاكرة NAND المشحونة في العالم ستكون منتجة باستخدام عمليات تصنيع 3D، بارتفاع أقل من 1% هذه السنة وفقا لتقرير جديد من IHS وهي شركة رائدة في أبحاث السوق. من المقرر أن تقفز حصة NAND الإجمالية في السوق بتقنية 3D بنسبة 5.2% في عام 2014 ومن ثم تتصاعد إلى 30.2% من إجمالي شحنات ذاكرة flash في عام 2015. في عام 2016 ستوسع 3D NAND حصتها في السوق بنسبة 49.8% بحيث تمثل مايقارب نصف سوق ذاكرة flash كله، كما هو موضح في الصورة التي نشاهدها.

3d-nand-01

قال دي روبنسون كبير المحللين قسم الذاكرة والتخزين لـIHS "هناك اتفاق واسع النطاق بأن جيل أو اثنين قد يغادرا قبل أن تصل NAND flash المصنوعة باستخدام تقنية أشباه الموصلات التقليدية إلى حدودها نظريا. وحيث أن الطباعات المعدنية (lithographies) تتقلص بشكل أكبر، فإن الأداء والدقة قد يصبحا متدهوران جدا بالنسبة لـNAND لتُستخدم في أي شي سوى المنتجات الاستهلاكية ذات التكلفة الأقل لحد كبير. ولأن منتجي NAND مرغمون على الاستمرار ببناء منتجات بكثافة أعلى وأسعار أقل، فإنهم سينتقلون إلى تصنيع 3D بسرعة في السنوات القادمة."

هناك عامل هائل يقود الشركات المصنعة لـ NAND للمواصلة في تحسين منتجاتها وهو المتطلبات من التطبيقات مثل الأجهزة اللوحية والهواتف الذكية. تلك الأجهزة تتطلب قدرة أعلى وتخزين أقل تكلفة.ان الشركات المصنعة لـNAND flash سابقا استخدمت التصغير ( عن طريق الانتقال إلى تقنيات تصنيع أقل سماكة) لزيادة القدرة وتقليل تكاليف منتجاتهم. مع تقنية 3D يتحول التركيز بعيدا عن التصغير ويتجه نحو زيادة الكثافة بتطبيق خلايا NAND flash فوق بعضها البعض. هذا سيكون الأكثر فعالية من حيث التكلفة لدفع NAND إلى المستوى التالي لأن معظم معدات التصنيع الحالية يمكن أن يُستمر في استخدامها في تقليل النفقات وزيادة العائد الاستثماري.

فلقد أعلنت شركتي Samsung و SK Hynix وهما أكبر لاعبين في عالم تجارة الذاكرة عن مبادرتهم في التوجه الى 3D NAND في شهر أغسطس خلال قمة Flash Memory في سانتا كلارا كاليفورنيا. فرق التكلفة بين V-NAND قرص ثابت صلب وآخر مشغل بواسطة ذاكرة flash تقليدية سيكون هائلا للغاية، هذا ماتتوقعه IHS مما يشرح سبب سعي شركة Samsung لتوجيه المنتج أولا في سوق الشركات الكبيرة.

في حين أن كلا من شركتي Samsung و SK Hynix قد ذكرتا سابقا التطوير الداخلي لـ 3D NAND، فإن الجدول الزمني قد تحرك بشكل أسرع مما هو متوقع والوتيرة المتسارعة أسرع بكثير مما توقعه العديد في مجال الصناعة. مع هذا الشركات الأخرى المصنعة للذاكرة، قررت الاستمرار مع NAND planar لغاية جيل واحد على الأقل ودفع أي خطط 3D لموعد لاحق. في هذه المجموعة هناك شركات مصنعة مثل SanDisk, Micron Technology و Toshiba. كل ماقيل هو أن الانتاج المبدئي لـ 3D NAND سيكون محدودا، وتحليل الفشل سيكون صعبا بسبب البنية متعددة المستويات للجهاز. تعتقد IHS مع هذا بأن زيادة مبدئية لمنتجات ذات أداء أعلى في قطاع الشركات الكبرى سيمكن المنتجين من إنشاء الهوامش الربحية وتسمح للإجراءات بالنضج اكثر، مع أنه قد يمر بعض الوقت قبل أن تساهم 3D في النمو قليلا بشكل هادف للصناعة إجمالا.

على أية حال فكما نشاهد سباق الـ 3D بالنسبة لـ NAND قد بدأ فعلا بترسيخ الإطار الزمني للتقنية الجديدة. الشركات المنتجة للـ NAND التي عليها أن تلبي التغيير تشعر بالضغط الكبير نتيجة لذلك.حيث ان هذا التوجه مجبرون عليه ورغم إيجابياته الكبيرة والمتوقعة إلا انه بكل تأكيد سوف يكون هناك مراحلة صعبة في مرحلة الإنتاج الأولى سوف تسبب بعضا من الضغط على تلك الشركات.