ARM تعلن أن نواتها الجديدة Artemis للهواتف الذكية مصنوع بدقة تصنيع 10nm
التوسع نحو عمليات تصنيع أصغر من أي وقت مضى مكن شركات التكنولوجيا بفتح باب التحسينات على تصميم المعمارية من اجل تحسين الاداء للأجيال المتتابعة من الرقاقات بدون التضحية باستهلاك الطاقة, فالفائدة من تخفيض دقة التصنيع هو الحصول على أداء أفضل واستهلاك طاقة أقل بنسبة كبيرة. فهندسة كمية الترانزيستور الموضوعة بداخل النواة مرتبطة بشكل أساسي بدقة التصنيع النانومتر ومع كون دقة تصنيع 16nm أو 14nm هي العملية المفضلة الآن من قبل كل الشركات المصنعة للحصول على رقاقات سيليكون متطورة ورائدة سواء المكتبية والموبايل, إلا أن ARM قد وصلت اليوم الى مرحلة جديدة مع معالجها الجديد Artemis.
ومن الواضح أن ARM لم يعد لديها صبر حتى تستخرج الفوائد الكامنة باستخدام دقة تصنيع 10nm. وعلى سبيل المثال، ARM الرائدة عالمياً في تصاميم IP لمعالجات الموبايل، قد أعلنت سابقًا عن تعاون وثيق مع المسبك التايواني الكبير TSMC في تصنيع دقة تصنيع 10nm FinFET ووقعت على صفقة على مدة سنوات من أجل أيضاً دقة تصنيع 7nm المستندة على السيليكون.
اليوم تعلن ARM أن جيلها القادم من انوية المعالج المركزي لأجهزة الهاتف الذكية الممتازة، والمسماة Artemis، قد استفادت من عملية تصنيع TSMC 10nm في نهاية العام الماضي وهي الآن بمستوى اختبار رقاقة السيليكون أي انها لم تدخل بعد مرحلة الإنتاج المبدئي أو الكمي. فرقاقة الاختبار هي إصدار مبسط لرقاقة SoC والتي ستتوجه نحو الإنتاج في وقت لاحق من هذا العام.
هذا التصغير لرقاقة SoC، الذي يتضمن المعالج المركزي رباعي النواة ورسوميات Mali أحادية النواة مفيد لشركة ARM لأنه يظهر مانوع القوة، الأداء وخصائص المساحة التي يمكن أن يتم تطبيقه على رقاقات أكبر ليتم استخدامها من قبل شركاء الشركة من السنة القادمة ومابعدها فيما يخص الحجم. يمكن القول أن الأكثر اهتماماً هو نتائج الأداء والطاقة المكتسبة من الرقاقة. مبدئياً نحن أمام معلومات تشير الى أن هناك 10% من الأداء أو أكثر حال التوجه نحو الدقة الجديدة وربما تكون أكبر من ذلك بكثير مع كفاءة أكثر من ناحية الطاقة، وهو انخفاض كبير في الطاقة بمستوى مقابل للأداء لدقة 16nm FinFET الحالية وأفضل حتى والتي تعتبر اليوم دقة تصنيع الرائدة لعام 2016.
