القائمة
RYZEN 4700GE يُحقق زمن إستجابه جديد لذاكرة التخزين المؤقت L3 Cashe

RYZEN 4700GE يُحقق زمن إستجابه جديد لذاكرة التخزين المؤقت L3 Cashe

منذ سنة - بتاريخ 2020-07-01

لاتزال جموع المُستخدمين تسعى وراء تحقيق أقصى إتفاده ممكنه إستطاعت معمارية AMD ZEN 2 من تقديمها لهم عن طريق تعدد-نواة ومسارات المعالجه المركزيه والدعم وساع النطاق لتردد الذاكره العشوائيه ، وهذا ما دفع أحد المواقع الصينيه على تحقيق رقم قياسي جديد لسرعة عمل الذاكره مع مُعالج Renoir.

إحتويت رقاقة السيليكون الخاصه بمُعالج AMD's Renoir APU صاحب الثمانية-نواه على رُبع ذاكرة التخزين المؤقت فقط لكل أربعة-نواه مُقارنة بمعالجات معمارية Zen 2 الذين أتوا بِمُسميات Matisse / Rome / Castle Peak ، حيثُ نشرت شركة TechLap الصينيه مراجعه سريعه لِمُعالج Ryzen 7 4700GE صاحب مقبس AM4 سوكيت والذي يستند على نظام Renoir والتي وضحت من خلالها توفير زمن إستجابه أقل بكثير من شرائح سسيليكون مُعالجات Matisse والتي بلغت مُدته 47.6 نانوثانيه فقط عند إقترانها بشرائح الذاكره العشوائيه التي تعمل بسرعة تردد 4233MHz DDR4.

على الرغم من ذلك فمن المعروف أن بعض مُعالجات معمارية Zen 2 كمثال على مُعالج RYZEN 9 3900X تتطلب فتره زمنيه أطول تصل إلى 60 إلى 70 نانوثانيه مع مثل هذه الترددات السريعه من عمل ذواكر الوصول العشوائيه بسبب التصميم الهندسي الذي يفصل كل من مُتحكمات الذواكر وأنوية المُعالجه المركزيه عن بعضهما البعض بإصدارات Matisse وهذا يُتبر السبب الرئيسي في تأخير زمن الإستجابه عن طرازات Renoir.

AMD تمكنت من مُضاعفة سعة ذاكرة التخزين المؤقت"L3 Cashe" لكل أربعة أنوية مُعالجه مركزيه بالمقارنه مع عائلة مُعالجات Zeppelin الماضيه. ويُشار إلى أن المراجعه التي أجراها الموقع الصيني TechLap مع معالج Ryzen 7 4700GE كانت تعتمد على اللوحه الأم ROG Crosshair VIII Impact X570 التي تعمل من خلال إزدواجية شرائح الذاكره العشوائيه لكل قناه DIMM 1 Per Channel وهي أفضل منهجيه لطُرُق عمل الذاكره العشوائيه.

أضف تعليق (0)
ذات صلة