تقول أخر التسريبات أن شركة Samsung Electronics تقوم بتطوير ذاكرة الجيل السابع من V-NAND بتقنية التراص ثلاثية الأبعاد فائقة الارتفاع ultra-high 3D stacking . حيث سيحتوي النموذج الأول على 160 طبقة على الأقل ، وستحتوي النماذج اللاحقة على المزيد من الطبقات ، وتأتي هذه الخطوات الجديدة كعلامات مبكرة على عدم رغبة الشركة في ترك السبق التكنولوجي لشركة YMTC الصينية . هذا و من المقرر أن تظهر أول ذاكرة V-NAND من سامسونج بعدد طبقات 160 طبقة تقريبًا في نفس الوقت الذي ستقوم فيه شركة YMTC بإطلاق ذاكرتها ثلاثية الأبعاد بعدد 128 طبقة ودخولها مرحلة الإنتاج الكمي قرب نهاية عام 2020 الحالي .

Samsung 3D NAND سامسونج في قلب الذاكرة المتكدّسة توجد تقنية Double Stack الخاصة بشركة Samsung ، والتي تعمل على إنشاء ثقوب إلكترونية في وقتين منفصلين لكي يقوم التيار بالمرور عبر الدوائر من خلالهما . تقوم رقائق الذاكرة المتكدّسة الأحادية من الجيل الحالي بإنشاء هذه الثقوب مرة واحدة بطول المكدّس لكل دورة عمل ، هذه الزيادة من المتوقع أن توفر زيادة في أداء ذاكرة الفلاش NAND المتكونة من 160 طبقة (بزيادة 67 ٪ في الكثافة لكل حزمة مقارنة بالرقائق ذات الـ 96 طبقة الموجودة في السوق) . يمكن أيضًا زيادة الكثافة بوسائل أخرى مثل التحول إلى عقد تصنيع أشباه الموصلات الأحدث وتقنيات التصنيع الأقل ، وأيضاً تقنية PLC (حيث يتم استخدام 5 بت لكل خلية) ، والتي يتم تطويرها حاليًا بواسطة KIOXIA .

الجدير بالذكر أن كل تلك التقنيات في النهاية ستؤدي لغرض أساسي وهو زيادة الكثافة وحجم التخزين مع الحفاظ على التكلفة الأقل بجانب الميزات الأخرى للذواكر ، فهل انت متحمس !!