أعلنت شركة Samsung الرائدة عالميًا في مجال تكنولوجيا الذواكر وحلول التخزين اليوم أنها بدأت في إنتاج أول وحدة eUFS بسعة 512 جيجا بايت (وحدة تخزين embedded Universal Flash Storage) من جيل 3.1 والتي ستكون متاحة للاستخدام في الهواتف الذكية الرائدة . ستقدم هذه الذاكرة ثلاثة أضعاف سرعة الكتابة للذاكرة السابقة بسعة 512 جيجابايت من طراز eUFS 3.0 ، لتصبح بذلك ذاكرة eUFS 3.1 الجديدة من سامسونج احدى الذواكر الفريدة التي كسرت حاجز الأداء البالغ 1 جيجابايت / ثانية في الهواتف الذكية . و قال تشول تشوي ، نائب الرئيس التنفيذي لمبيعات وتسويق الذاكرة في Samsung Electronics : "مع تقديمنا أسرع حلول التخزين للأجهزة المحمولة ، لن يضطر مستخدمو الهواتف الذكية إلى القلق بشأن مشاكل الأداء التي يواجهونها مع بطاقات التخزين التقليدية الخارجية " . وأضاف " تعكس ذواكر eUFS 3.1 الجديد التزامنا المستمر بدعم الطلبات المتزايدة بشكل كبير من مصنعي الهواتف الذكية حول العالم هذا العام".

Samsung Memory eUFS ذاكرة تخزين ميموري

الجدير بالذكر أن الذواكر الجديدة توفر سرعة كتابة تتابعية تزيد عن 1200 ميجابايت / ثانية ، وهو ما يجعل ذواكر Samsung 512 GB eUFS 3.1 توفر سرعات أكبر من ضعف سرعة أجهزة الكمبيوتر التي تعتمد على منافذ SATA (مغ سرعة 540 ميجابايت / ثانية فحسب) ، وأكثر من عشرة أضعاف سرعة بطاقات UHS-I microSD (التي تصل الى 90 ميجابايت / ثانية) . وهوما يعني أن المستهلكين يمكنهم الاستمتاع بسرعة أجهزة الكمبيوتر المحمولة في أجهزتهم المحمولة ذات الحجم الصغير مع القدرة على تخزين مقاطع الفيديو بدقة 8K أو مئات الصور كبيرة الحجم في هواتفهم الذكية .

أسرع بنسبة 60 بالمائة من طراز UFS 3.0 الحالي !!

هذه السرعات ستوفر لهم القدرة على نقل المحتويات من هواتفهم القديمة إلى أجهزة أخرى جديدة في وقتًا أقل بكثير من السابق ، حيث ستستغرق الهواتف المزودة بـ eUFS 3.1 الجديدة حوالي 1.5 دقيقة فقط لنقل 100 جيجابايت من البيانات ، في حين تتطلب الهواتف القائمة على معايير UFS 3.0 أكثر من أربع دقائق لنقل نفس الملفات . أما من حيث الأداء العشوائي ، فتعالج الذواكر من طراز eUFS 3.1 بسعة 512 جيجا بايت البيانات بشكل أسرع بنسبة 60 بالمائة من طراز UFS 3.0 المستخدم على نطاق واسع في الوقت الحالي ، حيث توفر 100،000 عملية إدخال / إخراج للقراءة في الثانية  IOPS و 70،000 IOPS للكتابة .

شركة Samsung تبدأ مرحلة الإنتاج الكمّي لوحدات eUFS 3.1 بأحجام 512GB ستأتي الذواكر الجديدة أيضاً بسعات مختلفة مثل 512 جيجابايت ، و 256 جيجابايت و 128 جيجابايت للهواتف الذكية الرئيسية من سامسونج التي سيتم إطلاقها في وقت لاحق من هذا العام ... هذا وقد بدأت شركة Samsung في مرحلة الإنتاج الكمي من ذواكر V-NAND من الجيل الخامس في خط الإنتاج الجديد الخاص بها Xi'an ، الصين ، الخط (X2) هذا الشهر لتلبية احتياجات وحدات التخزين بالكامل في سوق الهواتف الذكية الرائدة والراقية . كما و تخطط الشركة قريبًا لتحويل عملية إنتاج ذواكر V-NAND في خط Pyeongtaek (P1) الموجود في كوريا من الجيل الخامس إلى الجيل السادس من ذواكر V-NAND لتلبية الطلب المتزايد على هذه الذواكر بشكل أفضل .