لمواجهة Samsung، تخطط TSMC لتسريع تطوير عملية معالجة دقة تصنيع 10nm لدرء المنافسة من Samsung، التي يُذكر أنها وقعت طلبيات رقاقة 14nm FinFET من Qualcomm، وفقا لمصادر الصناعة. 

حاليا تتنافس الشركتان بشراسة في تطوير تقنية معالجة FinFET، مع مسبك ومقره كوريا الذي يستخدم عملية معالجة دقة تصنيع 14nm و TSMC 16nm node. كلا من تلك العمليات مجدولة لتدخل الإنتاج الهائل في أوائل 2015.

لطالما كانت TSMC في طليعة تطوير تقنية FinFET وخططت في الأساس لبدء إنتاج رقاقات 16nm FinFET في الربع الرابع من عام 2014. مع هذا، أعادت TSMC جدولة الإنتاج التجاري لعملية FinFET، وبدلا من ذلك تخطط لإصدار المزيد من 16nm FinFET Plus المتقدمة، التي ستستهلك طاقة أقل وتقلل أكثر من أحجام القالب.

مع هذا، تطوير Samsung لدقة تصنيع 14nm كان أسرع مما فكرت به TSMC، دافعا المسبك ومقره تايوان بتسريع تطوير تقنية دقة تصنيع 10nm كي تحافظ على الطليعة. يبدو ان المنافسة محتدمة بين الشركتين.