القائمة
سامسونج تعلن أنها قد اكملت تطويرها لدقة 5nm FinFET وهي الآن جاهزة للعينات الأولى

سامسونج تعلن أنها قد اكملت تطويرها لدقة 5nm FinFET وهي الآن جاهزة للعينات الأولى

منذ 3 سنوات - بتاريخ 2019-04-22

اخر تحديث - بتاريخ 2022-02-08

سامسونج تعلن أنها قد اكملت تطويرها لدقة 5nm FinFET وهي الآن جاهزة للعينات الأولى

الاخبار تتولى حول دقة 7nm و 5nm حيث نشهد منافسة شرسة بين الشركات المصنعة في عالم أشباه الموصلات مع معاناة إنتل في الوصول لدقة 10nm, رغم ذلك يستمر العملاق سامسونج بنجاح في هذا المجال ليعلن بشكل رسمي بأن تقنية التصنيع الخاصة به 5nm FinFET قد اكتمل تطويرها وهي الآن جاهزة لبدء إنتاج العينات الاولى لشركائها. هذا الإعلان يؤكد بأن سامسونج تثبت وللمرة الألف ريادتها في سوق التصنيع المتقدم.

لنأتي للتفاصيل المهمة لهذه الدقة, فخلال مقارنتها مع دقة 7nm LPP سيتبين لنا أن دقة تصنيع 5nm LPE FinFET تعرض زيادة أعلى في كثافة المساحة المتاحة للترانزيستور بنسبة 25% مع استهلاك طاقة أقل بنسبة 20% وزيادة بالأداء بنسبة 10%. إضافة إلى تحسين مساحة أداء الطاقة (PPA) من 7nm إلى 5nm، يمكن لشركاء سامسونج الاستفادة كلياً من تقنية ليثوغرافي EUV المتطورة او “كما تعرف بمصطلح الطباعة الحجرية الفائقة فوق البنفسجية”.

الفائدة الأساسية كذلك مع دقة 5nm هو أن سامسونج تستطيع إعادة استخدام جميع الملكية الفكرية لدقة 7nm على دقة 5nm. بالتالي يمكن انتقال شركاء سامسونج من دقة 7nm إلى 5nm لتقليل تكاليف الإنتاج الشامل المتعلقة بالتصميم, فالإنتقال إلى دقة جديدة دائماً ما يسبب الحاجة إلى اجهزة ومعدات خاصة بها بسبب اختلاف بنية تطويرها وتصميمها مما يعني ارتفاع تكاليف الإنتاج والتطوير بعكس ما سيحدث الان مع هذه الدقة.

سامسونج تعلن أنها قد اكملت تطويرها لدقة 5nm FinFET وهي الآن جاهزة للعينات الأولى

نتيجة للتعاون الوثيق بين مسبك Samsung وشركائها في (SAFE)، فإن البنية التحتية لتصميم دقة 5nm بما في ذلك مجموعة التصنيع، أدوات أتمتة التصميم الالكتروني والملكية الفكرية، قد تم توفيرها منذ الربع الرابع لعام 2018 لتسريع عملية التطوير التي اكتملت اليوم. تعلقياً على ذلك قال السيد Charlie Bae نائب الرئيس التنفيذي لقسم أعمال مسبك Samsung "بإكمال ناجحنا لتطوير دقة تصنيع 5nm ، فقد برهنا على قدراتنا في صناعة أشباه الموصلات المستندة على تقنية EUV. وفي استجابة للمطلب الكثيف للعملاء لتقنيات التصنيع المتقدمة لتمييز الجيل القادم لمنتجاتها، فإننا نواصل التزامنا في تسريع مرحلة الإنتاج الكمي للتقنيات المستندة على EUV"..."يتوقع لدقات التصنيع المتقدمة المستندة على تقنية EUV أن تكون تحت طلب كثيف لتطبيقات مبتكرة وجديدة مثل شبكات الجيل الخامس 5G، الذكاء الاصطناعي، حوسبة عالية الأداء، والأتمتة. سامسونج ستواصل تقديم الحلول والتقنيات الأكثر تقدما لشركائها".

بالمناسبة وفرت سامسونج عينات تجارية لمنتجات جديدة مستندة على تقنية EUV الأول من نوعه في المجال وقد بدأت الإنتاج بكميات ضخمة بدقة تصنيع 7nm مبكراً هذا العام, حيث وفقاً لخارطة العمل سيكون الإنتاج بكثافة كاملة خلال هذا النصف الأول من العام, بينما في النصف الثاني من هذا العام سوف تبدأ سامسونج الانطلاق بمرحلة الإنتاج الأولية لدقة 5nm لكن بكميات محدودة وستستهدف أغلب الظن معالجات سامسونج كبداية, لتصل إلى مرحلة الإنتاج الكمي في بداية عام 2020.

سامسونج تعلن أنها قد اكملت تطويرها لدقة 5nm FinFET وهي الآن جاهزة للعينات الأولى

الملفت كذلك أن Samsung تفتح الباب على مصراعيه في عالم أشباه الموصلات, فهي تفتح باب التعاون مع شركائها لتقديم دقة تصنيع 6nm التي أبدت فيها العديد من الشركات اهتماماً كخيار أخر أكثر تطور من 7nm، فهي دقة تصنيع معدلة مستندة على تقنية EUV، وقد أعلنت مؤخراً أن اولى المنتجات المستندة عليها كمرحلة تجريبية قد صدرت. دقات التصنيع المستندة على تقنية EUV لمسبك سامسونج يتم حاليا تصنيعه في مسبك S3-line في هواسيونغ ، كوريا الجنوبية. إضافة إلى ذلك، ستوسع Samsung من سعة إنتاج الدقات المستندة على تقنية EUV الخاصة بها إلى خط إنتاج EUV جديد في هواسيونغ أيضاً، المتوقع أن يكتمل تصنيعه ضمن النصف الثاني من هذا العام ليبدأ تكثيف الإنتاج مع بداية العام القادم.

سامسونج تعلن أنها قد اكملت تطويرها لدقة 5nm FinFET وهي الآن جاهزة للعينات الأولى

قبل أن أختم هناك تحرك مثير للاهتمام قام به السيد Raja Koduri الرأس المدبر في فريق تطوير المعالج الرسومي المنفصل Xe لشركة إنتل الذي زار منشأة تصنيع ضخمة لشركة سامسونج في كوريا الجنوبية على خلفية إعلان الشركة عن الانتهاء من تطوير دقة تصنيع 5nm EUV. هذا يثير التخمينات بأن رجا ربما يستكشف ما دلى سامسونج من عروض لدقة التصنيع التي تتجاوز 10nm للبدء بإنتاج المعالج الرسومي المنفصل Xe بكميات ضخمة في حالة كانت النتائج إيجابية.

كلنا يعلم معاناة إنتل مع أعمال المسبك الخاص بها الذي يترنح بشكل واضح مع دقة تصنيع 10nm. السبب في إمكانية تخلي قدري عن اختيار دقة تصنيع 10nm مع المعالج الرسومي المنفصل القادم خلال الفترة المقبلة كما تشير التوقعات هو حاجته إلى مساحة كبيرة لاستيعاب كثافة الترانزيستور التي لن تكون فيها دقة 10nm كافية بالنسبة له مما يجعله ينظر إلى خيارات أخرى مثل 7nm أو 5nm فلا ننسى أن AMD قررت إطلاق معالجها الرسومي على دقة 7nm بينما انفيديا فقد تتجه نحو 10nm مع الجيل القادم.

ما رأيكم بهذا التطوير السريع في دقات التصنيع؟ هل سيحقق نتائج أفضل؟ أم ان قيود المواد المستخدمة في عملية التصنيع سوف تؤثر على النتائج النهائية؟ شاركونا الان

أضف تعليق (0)
ذات صلة