ذكاء GlobalFoundries يمكنها من تطوير تقنية 12nm FD-SOI

كثيراً ما نعجب بهذه الشركة المشهورة في مجال أشباه الموصلات حول العالم GLOBALFOUNDRIES ولسبب ستتفقون معنا به, أن هذه الشركة تطور حلول قد لا تقدمها باقي الشركات في هذا المجال, فهناك شركات ضخمة وقوية في مجال أشباه الموصلات لكنها تعتمد على خارطة طريق تقليدية لدقة التصنيع الخاصة بالسيليكون بعكس GLOBALFOUNDRIES التي عملت على تطوير متواصل لدقة تصنيع مختلفة في بنية تصنيعها مع FD-SOI.

طبعاً هي ليست الوحيدة التي تعتمد على معايير مختلفة كما FD-SOI لكنها من الشركات الرائدة في تقديم هذا النوع من التطوير السريع. ما قدمته من جديد هو تقنية أشباه موصلات جديدة 12nm FD-SOI موسعة مركزها الرائد بعرض خارطة عمل FD-SOI ذات العقد المتعددة الأولى في مجال الصناعة. ووفقاً لنجاح عرضها لمنصة 22FDXTM، فإن منصة 12FDXTM الجيل التالي مصممة لتمكين الأنظمة الذكية المقبلة عبر مجموعة من التطبيقات، من حوسبة الموبايل و اتصال 5G إلى الذكاء الاصطناعي و المركبات ذاتية القيادة.

تقنيات دقة تصنيع FD-SOI 12nm أفضل من FinFET!

[caption id="attachment_150841" align="alignnone" width="2844"] مقارنة توضح الفرق بين تصميم FD-SOI و COMS[/caption]

بما أن العالم أصبح أكثر وأكثر اندماجاً عبر مليارات من الأجهزة المتصلة، فإن العديد من التطبيقات الناشئة تتطلب نهج جديد لابتكار أشباه الموصلات الأفضل. الرقاقة التي تجعل هذه التطبيقات ممكنة تتطور في أنظمة صغيرة، مع تكامل متزايد للمكونات الذكية التي تتضمن اتصال لاسلكي، ذاكرة مدمجه، وإدارة طاقة أثناء تشغيل ذو استهلاك فائق الانخفاض في الطاقة, مما جعلنا نشهد تقنية 12FDX الجديدة لـGF بهندسة مخصصة تسمح بتشغيل مستويات غير مسبوقة من تكامل النظام، مرونة التصميم وتدرج الطاقة.

تضع 12FDX معيار جديد لتكامل النظام، بتزويد منصة محسنة للجمع بين ترددات الراديو (RF) ، التناظر، الذاكرة المدمجة على رقاقة واحدة. التقنية توفر أيضاً المجموعة الأوسع في المجال من تدرج الفولتاج الديناميكي ومرونة التصميم الغير مسبوقة عبر الترانزيستور متحكم به بواسطة البرامج والقادر على تقديم ذروة أداء حينما وأينما كان مطلوباً وبنفس الوقت إحداث توازن بين الطاقة الديناميكية والساكنة من أجل تحقيق الهدف الأسمى...كفاءة الطاقة في قمتها.

تقنية 12FDX الجديدة مبنية على منصة 12nm FD-SOI وتتيح أداء دقة تصنيع 10nm FinFET مع استهلاك طاقة أفضل وتكلفة أقل من دقة تصنيع 16nm FinFET. كما تعرض المنصة تعزيز أداء بنسبة 15% عن تقنيات FinFET المستخدمة اليوم واستهلاك طاقة أقل بنسبة تعادل 50%.

يبدو أننا مقبلين على نقلة كبيرة مع هذه الدقة المثيرة للاهتمام, لكن بنفس الوقت يبدو أنها ستستخدم في مجالات معينة وليس مع كل المجالات..رأيكم؟