سامسونج تفعلها وتحسن من أداء ذاكرة DDR4 بنسبة 30% بفضل دقة 10nm!
قد تكون الخطوة الاكبر حتى الان في عالم ذواكر DRAM وخاصة مع الجيل الجديد DDR4, فلقد أعلنت سامسونج بفضل خبرتها الطويلة في هذا المجال عن بدء عملية الإنتاج الكمي لرقاقات ذاكرة DDR4 بدقة تصنيع 10nm لأول مرة بالعالم! كما نعلم تستخدم ذاكرة DDR4 على نطاق واسع بين المستخدمين سواء للحواسب المكتبية الشخصية, أو مع الأجهزة المحمولة, وحتى مع محطات العمل ومراكز البيانات وشبكات IT.
فقدرتها العالية وسرعتها وانخفاص استهلاكها للطاقة تجعلها مرغوبة للكثيرين خاصة بعد انخفاض سعر شرائها, حيث كنا أكدنا على هذه النقطة من خلال خبر قمنا بطرحه بوقت سابق بعنوان "انخفاض جديد يطرأ على أسعار ذواكر DRAM وهو يشمل أسعار DDR4!". الجديد اليوم كما ذكرنا هو الإنطلاقة الأكبر من سامسونج لإنتاج رقاقات ذاكرة DDR4 بدقة تصنيع 10nm من خلال مرحلة إنتاج كمي رسمياً.
ماهو الهدف المنشود من هذه الخطوة الكبيرة من سامسونج؟
يمكن أن نقول أنه تحدي كبير من سامسونج ضد الشركات الأخرى, بالإضافة الى إثبات أنها مصنع ضخم لا يمكن أن يستهان به في عالم الذاكرة وتصنيعها. فهذه الخطوة التي أقدمت عليها سامسونج تعني زيادة معدل الأداء وخفض معدل الاستهلاك الى أرقام مثيرة للاهتمام. بالتأكيد القدرة على استخدام هذه الدقة لم يكن ممكن لولا استخدام سامسونج لمعدات خاصة ذات جودة عالية والمكلفة بنفس الوقت حتى نرى هذا التطور الكبير.
تاتي هذه الخطوة بعد تشدين سامسونج في عام 2014 عن أول ذاكرة 4Gb DDR4 DRAM بدقة تصنيع 20nm. اليوم هي تعيد الكرة ولكن مع تحسين كبير في أداء ذاكرة DDR4. لندع كل ذلك جانباً ولنأتي ببعض الأرقام المثيرة. ذاكرة 8Gb DDR4 DRAM المصنوعة بدقة تصنيع 10nm ستقدم تحسين على إنتاجية رقاقات wafer بنسبة تصل الى 30% مقارنة مع ذواكر 8Gb DDR4 DRAM بدقة تصنيع 20nm.
كما ستقدم الذاكرة الجديدة بدقة التصنيع 10nm قفزة واضحة في معدل نقل البيانات حيث ستصل الى 3200Mbps وهو ما يعني سرعة أعلى بنسبة 30% مقارنة مع معدل نقل بيانات 2400Mbps لذاكرة DDR4 DRAM بدقة 20nm. ليس ذلك فحسب فدقة التصنيع الجديدة توفر استهلاك منخفض للطاقة بنسبة تقع بين 10% و 20% مقارنة مع دقة تصنيع 20nm, وهو ما سيسمح بالإستفاد منها بشكل واضح مع أنظمة الحوسبة عالية الأداء والشبكات المهنية الضخمة, بالإضافة الى الحواسب المكتبية الشخصية وسوق السيرفرات ومحطات العمل.
على عكس ذاكرة NAND flash فإن خليتها الواحدة تتضمن 1 ترانزيستور مما يعني أن كل خلية DRAM تتطلب مكثف وترانزيستور مرتبط ببعض بحيث أن المكثف يتواجد في الجزء العلوي من مكان الترانزيستور. وفي حالة ذاكرة 10nm فهناك مستوى أخر من الصعوبة تمت إضافته, لأن عليهم أن يكدسوا مكثفات ذات شكل اسطواني رفيع, والتي تخزن شحنات كهربائية واسعة فوق بضعة طبقات من الترانزيستور ذات عرض 1 نانو متر مما يشكل 8 مليار خلية!
أخيراً من المفترض أن تتوفر هذه الذواكر نحو مختلف الاسواق في هذا العام.
