أعلنت سامسونج ضمن مشاركتها في معرض CES2018 أنها بدأت مرحلة الإنتاج الكمي لذاكرتها من الجيل الثاني HBM2 بحجم 8GB مع سرعة نقل البيانات هي الأسرع في السوق اليوم. الحل الجديد هو أول ذاكرة HBM2 في المجال الذي يقدم سرعة نقل بيانات بـ2.4Gbps لكل دبوس، والذي ينبغي له أن يسرع من سوق الحوسبة الفائقة والبطاقة الرسومية. ركزا معنا هنا ان سامسونج تؤكد ان هذه الذاكرة ستستهدف كذلك البطاقات الرسومية وهو أمر سيكون مفرح لانفيديا و AMD.

بدروه قال السيد Jaesoo Han من سامسونج " مع إنتاجنا لأول ذاكرة 2.4Gbps 8 GB HBM2، فإننا نعزز أكثر من ريادة تقنيتنا وتنافسيتنا في السوق. سوف نواصل بتعزيز سيطرتنا على سوق DRAM بضمان تزويد مستقر لـHBM2 في جميع أنحاء العالم، بالتوافق مع توقيت انطلاق نظام الجيل القادم المنتظر من قبل العملاء". 8GB HBM2 الجديد من سامسونج يقدم المستوى الأعلى من أداء DRAM، والذي يتميز بسرعة دبوس 2.4Gbps عند استهلاك 1.2V، الذي يترجم إلى ترقية في الأداء لما يقارب 50% لكل حزمة، مقارنة مع حزمة 8GB HBM2 من الجيل الأول للشركة التي تأتي بسرعة 1.6Gbps للدبوس عند استهلاك 1.2V وبسرعة 2.0Gbps عند استهلاك 1.35V.

مع هذه التحسينات، فإن حزمة 8GB HBM2 واحدة سوف تعرض عرض نطاق ترددي للبيانات بـ307GBps ، مما يحق سرعة نقل بيانات أكبر بـ9.6 مرة عن رقاقة 8gigabit (Gb) GDDR5 والتي توفر عرض نطاق ترددي للبيانات بـ32GBps . باستخدام أربع حزم HBM2 جديدة في النظام فإن ذلك سيتيح عرض نطاق ترددي بـ1.2TB/s ، والذي سيحسن أداء النظام الإجمالي بقدر 50%، مقارنة مع نظام يستخدم رقاقة 1.6Gbps HBM2.

لتحقيق هذا الأداء الغير مسبوق طبقت سامسونج تقنيات جديدة متعلقة بتصميم TSV والتحكم الحراري. حزمة 8GB HBM2 واحدة تتضمن ثمان قوالب 8Gb HBM2 ، المتصلة عموديا باستخدام ما يزيد عن 5,000 TSVs للقالب. في حين أن استخدام العديد من TSV يمكن أن يسبب انحراف فيما يطلق عليه بالتردد الجانبي, فقد نجحت سامسونج في تقليل الانحراف إلى المستوى الأكثر اعتدالا وتحسين كبير لأداء الرقاقة في هذه العملية.

إضافة إلى ذلك، فقد زادت سامسونج من عدد thermal bumps بين قوالب HBM2 ، التي تمكن من تحكم حراري أقوى في كل حزمة. أيضا، فإن ذاكرة HBM2 الجديدة تتضمن طبقة واقية إضافية في الأسفل، مما يزيد من القوة الفعلية الإجمالية للحزمة.

مستمرين بتغطية كل ماهو جديد من أخبار ضمن فعاليات معرض CES 2018 تابعونا ?