أعلنت Samsung وبشكل رسمي اليوم عن إطلاق Flashbolt وهو الجيل الثالث من ذاكرة High Bandwidth Memory 2E (HBM2E). هذه الذاكرة الجديدة 16gigabyte (GB) HBM2E تعتبر مناسبة على نحو فريد لتعزيز أنظمة الحوسبة عالية الأداء نحو المستوى الأعلى ليساعد مصنعي الأنظمة بالتقدم بحواسبهم الخارقة، عرض أحدث طراز من أنظمة الرسوميات وتحليل بيانات مشغل بالذكاء الاصطناعي بكفاءة عالية.

علق السيد Cheol Choi نائب الرئيس التنفيذي لقسم تسويق الذاكرة لدى Samsung "مع تقديم ذاكرة DRAM ذات الأداء الأعلى المتوفر اليوم، فإننا نتخذ خطوة هامة في تعزيز دورنا كمبتكر رائد في سوق الذاكرة السريع النمو. Samsung سوف تواصل بالوفاء بالتزامها لجلب حلول متميزة أثناء تعزيز تفوقها في سوق الذاكرة العالمي".

بجهوزيته في تقديم ضعف سعة الجيل السابق من ذاكرة 8GB HBM2 'Aquabolt'، تأتي ذاكرة Flashbolt الجديدة بزيادة كبيرة في كفاءة الطاقة والأداء ليحسن بشكل كبير الجيل التالي من أنظمة الحوسبة. سعة 16GB كان من الممكن تحقيقها بواسطة تكديس عمودي لثمان طبقات من قوالب 16gigabit (Gb) DRAM بدقة 10nm-class (1y), ليأتي بعد ذلك دور حزمة HBM2E التي يتم وصلها بتريب دقيق لأكثر من 40 ألف Microbumps ضمن طبقة السيليكون، مع احتواء كل قالب 16Gb على أكثر من 5600 من تلك الثقوب المجهرية, أي أن عملية التصنيع كانت معقدة لكن بفضل خبرة سامسونج الواسعة استطاعت فعل ذلك.

ذاكرة Samsung Flashbolt المدهشة بسرعتها كما يصفها الكثير تقدم سرعة نقل بيانات عالي جداً يصل إلى 3.2gigabits في الثانية وذلك بفضل الاستفادة من تصميم الدارة المحسن لبث الإشارة, وبنفس الوقت تقدم عرض نطاق ترددي للذاكرة بـ410GB/s per stack. ذاكرة Samsung HBM2E يمكن أن تحقق سرعة نقل بـ4.2Gbps وهو معدل نقل بيانات المختبر بأعلى مستوى حتى تاريخه, مما يتيح الوصول إلى عرض نطاق ترددي بـ538GB/s لتستفيد منه التطبيقات المستقبلية بشكل هائل. هذه الأرقام المميزة تعطينا تحسيناً بـ1.75 مرة عن ذاكرة Aquabolt التي تقدم عرض نطاق ترددي بـ 307GB/s.

تتوقع سامسونج أن تبدأ الإنتاج بكميات كبيرة خلال النصف الأول من هذا العام. الشركة سوف تواصل تقديم الجيل الثاني من تشكيلة Aquabolt  أثناء توجهها نحو جيلها الثالث Flashbolt ، وسوف تعزز أكثر من التعاون مع شركاء النظام في أنظمة الجيل التالي.

لكن على صعيد استخدام تلك الذاكرة المعروفة بـ HBM في البطاقات الرسومية, فهي حتى الان لم تصل إلى المرحلة التي تعطينا فيها أفضلية على ذاكرة GDDR6 التي قدمت مستويات أداء ممتازة بتكلفة تصنيع منخفضة, بعكس حلول ذاكرة HBM سواء من الجيل الاول أو الثاني التي تبقى ذات تكلفة مالية مرتفعة مما يجعل استخدامها ضمن انظمة الحوسبة العالية أفضل من استخدامها ضمن البطاقات الرسومية الموجهة نحو اللاعبين وهو ما رأيناه يحدث مع بطاقات AMD R9 Fury X التي فشلت بسبب التكلفة المالية المرتفعة.