شركة Samsung تُعلن عن بدء عملية الإنتاج الكمّي لذاكرة DRAM ذات دقة التصنيع 14nm لتوفير حلول DDR5 الأكثر تقدّماً. وذلك إستناداً على تقنية الطباعة الحجرية EUV.

أعلنت شركة Samsung، الرائدة عالميًا في مجال تكنولوجيا الذاكرة المتقدمة، أنها بدأت الإنتاج الكمي لأصغر ذاكرة DRAM في الصناعة، والتي تأتي بدقة تصنيع 14 نانومتر، استنادًا إلى تقنية الطباعة بالأشعة فوق البنفسجية (EUV). ويأتي ذلك بعد شحنة الشركة لأول DRAM EUV في مارس من العام الماضي، حيث قامت سامسونج بزيادة عدد طبقات EUV إلى خمس طبقات لتقديم أفضل عمليات تصنيع ذواكر DRAM وأكثرها تقدمًا لحلول DDR5 الخاصة بها.

وقال Jooyoung Lee ، نائب الرئيس الأول ورئيس منتجات وتقنيات DRAM في Samsung Electronics: " لقد قدنا سوق DRAM لما يقرب من ثلاثة عقود من خلال الريادة في ابتكارات تقنية الزخرفة الرئيسية". وتابع قائلاً : " اليوم ، تضع Samsung معلمًا تكنولوجيًا جديدًا مع تقنية EUV متعددة الطبقات التي أتاحت تصغيرًا شديدًا لعمليات تصنيع الذاكرة حتى دقة تصنيع 14 نانومتر، وهو إنجاز غير ممكن مع عملية تصنيع (ArF) التقليدية. وبناءً على هذا التقدم ، سنستمر في توفير أكثر الطرق تميزًا لحلول الذاكرة في عالم تُحرّكه البيانات من 5G و AI و metaverse. ".

ومع استمرار ذواكر DRAM في تقليص النطاق في حيّز الـ 10 نانومتر ، أصبحت تقنية EUV ذات أهمية متزايدة لتحسين دقة النقش لتحقيق أعلى أداء وعوائد تصنيعية أكبر. وذلك من خلال تطبيق خمس طبقات EUV على شرائح DRAM بدقة 14 نانومتر، حيث حققت سامسونج أعلى كثافة للبتات مع تعزيز الإنتاجية الإجمالية للرقاقة بنسبة 20٪ تقريبًا. وبالإضافة إلى ذلك، فمن الممكن أن تساعد عملية تصنيع 14 نانومتر في خفض استهلاك الطاقة بنسبة 20٪ تقريبًا مقارنةً بالجيل السابق من عقدة DRAM.

وبالاستفادة من أحدث معايير DDR5، ستساعد ذاكرة DRAM ذات دقة تصنيع 14 نانومتر من سامسونج في فتح سرعات غير مسبوقة تصل إلى 7.2 جيجابت في الثانية، وهو ما يزيد عن ضعف سرعة DDR4 التي تصل إلى 3.2 جيجابت في الثانية. وتُخطط Samsung لتوسيع محفظة DDR5 ذات الـ 14 نانومتر لدعم مراكز البيانات والحواسيب الفائقة وتطبيقات خوادم المؤسسات. كما وتتوقع سامسونج أيضاً زيادة كثافة شرائح DRAM ذات الـ 14 نانومتر إلى 24 جيجا بايت لتلبية متطلبات البيانات المتزايدة بسرعة لأنظمة تكنولوجيا المعلومات العالمية.