سباق جديد بين سامسونج وSK Hynix وماكرون لتصنيع رامات DDR6!
بدأت كُبرى شركات تصنيع الرامات، مثل سامسونج، وSK Hynix، ومايكرون، مرحلة التطوير الفعلي لرامات DDR6 من الجيل القادم. وذلك لتلبية الطلب المتزايد على الوحدات الأسرع والأعلى سعة في قطاع الذكاء الاصطناعي ومراكز البيانات.
كانت منظمة JEDEC قد أعلنت العام الماضي عن معيار LPDDR6 الجديد، الذي يقدم تحسينات واضحة مقارنةً بـ LPDDR5 من حيث الأداء وكفاءة استهلاك الطاقة.
وخلال الفترة الماضية، أصبحت ذواكر LPDDR الخيار المفضل في قطاع الذكاء الاصطناعي، بفضل قدرتها على تقديم سرعات مرتفعة وسعات كبيرة مع الحفاظ على كفاءة الطاقة، وهو ما جعلها مناسبة بشكل خاص لمراكز البيانات.
كما بدأت وحدات SOCAMM2 المعتمدة على LPDDR5 وLPDDR5X بالتحول إلى معيار شائع داخل خوادم الذكاء الاصطناعي، وهو ما يمهد الطريق أمام تبني LPDDR6 مستقبلًا.
وبحسب تقرير نشره موقع The Elec، طلبت شركات تصنيع الرامات من الشركات المتخصصة في تصنيع الركائز الإلكترونية "Substrates" (قواعد تثبيت الرامات) بدء تطوير تقنيات DDR6 مبكرًا، استعدادًا للإطلاق التجاري المتوقع خلال السنوات المقبلة.
ونقل التقرير عن مسؤول في قطاع الركائز الإلكترونية قوله إن شركات الرامات ومصنعي الركائز يبدأون عادةً مشاريع التطوير المشتركة قبل أكثر من عامين من طرح المنتجات رسميًا، مؤكدًا أن التطوير الأولي لذاكرة DDR6 قد بدأ بالفعل.
DDR6 تستهدف سرعات تصل إلى 17.6 جيجابت في الثانية!
رغم أن DDR6 لا تزال بعيدة نسبيًا عن الوصول إلى الأسواق التجارية، فإن الشركات الثلاث دخلت بالفعل في سباق لتكون أول من يطرح منتجاتها الجديدة، خاصة مع التنافس الكبير على تزويد مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي بالذواكر الحديثة.
ولم تكشف أي من الشركات حتى الآن عن وحدات DDR6 فعلية أو نماذج أولية، إلا أن الاهتمام المتزايد بالمعايير الجديدة يدفع الجميع لمحاولة تحويل تقنياتهم القادمة إلى الخيار الأساسي لخوادم الذكاء الاصطناعي المستقبلية.
ومن المتوقع أن توفر DDR6 سرعات تبدأ من 8.4 جيجابت في الثانية، مع إمكانية الوصول لاحقًا إلى 17.6 جيجابت في الثانية مع تطور عمليات التصنيع وتحسين التقنية.
كما ستوفر الذواكر الجديدة سعات أعلى مع استهلاك أقل للطاقة، حيث تشير التوقعات إلى أن معيار LPDDR6 سيعمل بجهد كهربائي أقل من 1.0 فولت.
وفي استعراض حديث، كشفت JEDEC عن نموذج أولي لذاكرة LPDDR6 بتصميم SOCAMM2، مع سعات تصل إلى 512 جيجابايت ضمن تصميم مدمج وموفر للطاقة، في خطوة تهدف لتجهيز البنية التحتية للجيل القادم من خوادم الذكاء الاصطناعي.
وفي الوقت الحالي، تستحوذ DDR5 على أكثر من 80% من سوق ذواكر الخوادم، ومن المتوقع أن ترتفع حصتها إلى 90% خلال العام الجاري.
كما أشارت كل من سامسونج ومايكرون سابقًا إلى أن أزمة توريد الذواكر ستستمر لعدة سنوات، مع توقعات بأن يكون عام 2027 أكثر صعوبة من 2026 بسبب الطلب الضخم من شركات الذكاء الاصطناعي.
وبحسب التوقعات الحالية، ستبدأ DDR6 بالوصول إلى مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي بين عامي 2028 و2029، بينما قد يضطر المستخدمون العاديون للانتظار عامًا أو عامين إضافيين قبل وصول التقنية إلى الحواسيب والأجهزة الاستهلاكية.
