Samsung-4GB-HBM-DRAM-02

أعلنت شركة سامسونج عن البدء بشكل رسمي في مرحلة الانتاج الكمي لأول ذاكرة 4GB DRAM القائمة على واجهة ذاكرة HBM2 من الجيل الثاني. يأتي هذا الإعلان كأول شركة تعلن عن هذه الذاكرة بوصولها الى مرحلة الإنتاج الكمي.

ذاكرة 4GB HBM2 DRAM تأتي موجهة بشكل خاص لتقديم أداء عالي للغاية للحوسبة العامة نظراً لقوتها وسرعة عرض النطاق الترددي الخاص بها, بالإضافة الى استخدامها مع أنظمة الشبكة, بالإضافة الى السيرفرات المهنية. هذه الذاكرة تعد بتقديم 7 أضعاف سرعة ذاكرة DRAM الحالية لتسمح بنقلة نوعية من ناحية أداء الحوسبة العامة, تصيير المشاهد الرسومية,والتعلم العميق.

Samsung-4GB-HBM-DRAM-01

بهذا الإعلان تتربع سامسونج على عرش ذاكرة HBM2 DRAM كأول شركة تنتج هذا النوع من الذاكرة بمرحلة الانتاج الكمي. هذه الخطوة من شأنها أن ترفع من سوق ذاكرة DRAM  لتصل الى مراحل أفضل بكثير خاصة مع نية العديد من الشركات والمجالات المختلفة بالتوجه الى هذا النوع من الذواكر. هذه الذاكرة الجديدة تأتي مصنعة بدقة تصنيع 20nm وهي تتمتع بأداء عالي واستهلاك منخفض للطاقة, وبحجم صغير.