دقة تصنيع 16nm FinFET لشركة TSMC في المرحلة التجريبية
أعلنت شركة TSMC بأن دقة تصنيع 16nm FinFET الجديدة قد دخلت مرحلة الإنتاج التجريبي او ما يطلق عليه risk production وما يقصد بذلك ان شركة TSMC تقوم بإستخدام full-blown SRAM كرقاقة اختبار في عملية مهمة حتى تتأكد انها جاهز للتصنيع وخالية من المشاكل لإستقبال الطلبات الخاصة بالعملاء . ينبغي لحجم الانتاج الفعلي أن يبدأ في الربع الأول من 2015، أي بعد أكثر من سنة.
وفقا للمدير التنفيذي المساعد مارك لو من المتوقع ان نرى إنتاج أولى رقاقات 20nm في شهر يناير. أول منتجات 20nm ستكون على مايبدو رقاقة SoC من أجل الموبايل. في هذه المرحلة لسنا متأكدين بعد من سيكون المزود الأول برقاقات SoC ذات دقة تصنيع 20nm. قد تذهب لشركة Qualcomm، Nvidia أو عدد من الشركات الأخرى. تبقى دقة تصنيع TSMC’s 28nm هي الدقة المهيمنة هذا العام وسوف تقدر بحوالي 23% من مبيعات الشرائح في 2013.
أشار لو ايضا بأن المسبك يحاول أن يسرع عملية إنتاج 16nm FinFET قبل الجدول الزمني المحدد، لكن في الوقت الحالي ربما من الأفضل التركيز على منتجات دقة تصنيع 20nm القادمة، وهي رقاقات وحدات المعالج الرسومي للبطاقات الرسومية و رقاقة SoC. فلا نريد ان نعود بالزمن لدقة تصنيع 40nm ومشاكلها الكبيرة.
