خلال فعاليات حدث Intel Foundry Services Connect الأسبوع الماضي، كشفت شركة Intel عن مجموعة من تقنيات التصنيع الجديدة التي تنوي الشركة طرحها للسوق، والتي تتوقّع الشركة أن تتفوق بها على المنافس TSMC. ولكن يبد أن هناك المزيد من دقّات التصنيع التي لم يتم الإعلان عنها. 

فطبقاً للمعلومات الجديدة -والتي يبدو أن إنتل نسيت الإعلان عنها- الشركة تنوي كشف النقاب عن دقة تصنيع Intel 1A، -التي تساوي دقة 1nm، ولا يُعلم التكنولوجيا التي ورائها بعد- ويُتوقّع البدء في عملية الإنتاج الكمّي لها بحلول نهاية عام 2027. ويبدو أن هذا التحوّل الكبير -المُنتظر- لمسبك إنتل له تأثير إيجابي على الجميع هناك، حيث صرّح بات جيلسنجر بأن Intel ستكون TSMC الغرب!.

تتوقع إنتل أيضاً أنه بحلول عام 2026، ستتمكن الشركة من توفير شرائح بدقة تصنيع 20A و 18A بكميات تصل إلى ضعف تلك التي بدقة Intel 3 و Intel 4، والتي ستكون آخر عقد إنتل التي ستستخدم FinFET، حيث ستنتقل الشركة بعد ذلك إلى تقنية nanosheets مع دقة تصنيع Intel 20A (والتي تسمّيها إنتل RibbonFETs).

الجدير بالذكر أيضاً أن شركات المسابك العالمية مثل Intel ،Samsung وTSMC قامت بعرض تقنية ترانزستورات CFET المكدسة في عام 2023، والتي ستكون هي التقنية المستخدمة حتى تنضج تقنية nanosheets المُنتظرة.