شركة إنتل بدأت بالفعل في العمل على بناء مجموعات من العينات الهندسية الاختبارية من الجيل الرابع عشر من معالجات "Meteor Lake" المتنقلة، في منشأة Fab 42 في تشاندلر، والتي ستأتي بتصميم مُتعدد الشرائح، لتتكوّن من أربعة بلاطات مُجمّعة عن طريق تقنية التغليف Foveros الخاصة بالشركة.

مع اقتراب الجيل الثاني عشر من معالجات "Alder Lake-P" المحمولة من الإطلاق، تعمل إنتل بالفعل على بناء مجموعات من العينات الهندسية الاختبارية من الجيل الرابع عشر من معالجات "Meteor Lake" المتنقلة، في منشأة Fab 42 في تشاندلر، أريزونا. الجيل الرابع عشر من سلسلة "Meteor Lake" هي عبارة عن وحدات مُعالجة متعددة الرقاقات أو الشرائح تستفيد من تقنية التغليف Foveros من إنتل لدمج "البلاطات" (وهي مجموعة من القوالب المصممة لأغراض خاصة) بناءً على عمليات تصنيع السيليكون المختلفة لكل بلاطة اعتمادًا على وظيفتها وكثافة الترانزستور/متطلبات الطاقة الخاصة بها.

هذا الجيل يجمع بين أربعة مربعات متميزة عبر حزمة واحدة — البلاطة الأولى ستكون عبارة عن اللوحة الحسابية، والتي ستحتوي على أنوية وحدة المعالجة المركزية؛ فيما ستكون البلاطة الثانية عبارة عن المعالج الرسومي iGPU، فيما ستكون البلاطة أو اللوحة الرابعة عبارة عن شريحة الإدخال والإخراج أو SoC I/O التي ستتعامل مع نظام الإدخال / الإخراج الخاص بمنصة المعالج؛ وأخيراً البلاطة الرابعة، وهي غير معروفة الوظيفة حاليًا. يمكن أن تكون هذه البلاطة هي عبارة عن كومة ذاكرة بوظائف مماثلة مثل مكدسات HBM الموجودة على معالجات "Sapphire Rapids" ، أو شيئًا مختلفًا تمامًا.

الجيل الرابع عشر Meteor Lake يجري بناؤها بالفعل في مسابك أريزوناالجيل الرابع عشر Meteor Lake يجري بناؤها بالفعل في مسابك أريزوناالجيل الرابع عشر Meteor Lake يجري بناؤها بالفعل في مسابك أريزوناالجيل الرابع عشر Meteor Lake يجري بناؤها بالفعل في مسابك أريزونا

وعلى كل حال، تحتوي لوحة الحوسبة على الأنواع الأساسية من الأنوية المختلفة للمعالج. حيث أن أنوية الأداء P هذه المرة هي "Redwood Cove" ، والتي تقفز جيلين من أنوية "Golden Cove" الحالية. لذا فإذا استمر إيقاع رفع مستوى IPC للأجيال من 12 إلى 20٪ من Intel، فإننا ننظر إلى أنوية قد يصل زيادة الأداء الخاص بها إلى 30٪ أعلى من الـ IPC الخاص بأنوية "Golden Cove" ( أي 50-60٪ أعلى من "Skylake"). كما ستطلق "Meteor Lake" الجيل التالي من أنوية Intel E-core ، والتي ستحمل الاسم الرمزي "Crestmont". الجدير بالذكر أيضاً أن البلاطة الحسابية يُشاع أنها سيتم تصنيعها على عقدة تصنيع Intel 4 (بصريًا عقدة من فئة 7 نانومتر، ولكن بخصائص مشابهة لـ TSMC N5).

بعد ذلك تأتي البلاطة الخاصة بالمعالجة الرسومية، والتي هي في الحقيقة قطعة مثيرة للاهتمام من السيليكون. ففي البدية ستستند هذه البلاطة على نفس البنية الرسومية Xe LP مثل الجيل الحالي؛ حيث سيتم تسمية المعالجات الرسومية المُدمجة iGPU هذه باسم Gen 12.7 ، بحيث يأتي الرقم ".7" للدلالة على تحديث تدريجي (مثل تحديثات مسرعات الوسائط أو وحدات التحكم في العرض). ويمكن أن تحقق إنتل مضاعفة كتلك التي تحدث بين الأجيال في قدرة هذه الشريحة SIMD، وذلك من خلال حشر ما يصل إلى 192 وحدة تنفيذ (EUs)، وذلك مُقارنة بالـ 96 الموجودة مع الجيل الحالي "Tiger Lake". لذا وللحفاظ على سحب الطاقة من المعالج الرسومي المُدمج عند الحد الأدنى مع تحقيق أهداف الأداء الخاصة بها التي ذكرناها، ستقوم Intel ببناء بلاطة الرسومات على عقدة تصنيع TSMC الأحدث، أي ربما تكون N3 (3 نانومتر).

الجيل الرابع عشر Meteor Lake يجري بناؤها بالفعل في مسابك أريزونا

القطعة الثالثة أو البلاطة الثالثة المعروفة ستكون عبارة عن شريحة أو SoC ، وهي في الأساس -من ناحية التصميم- ستكون عبارة مجموعة شرائح متكاملة. ومن غير المعروف ما إذا كان هذه الشريحة ستتعامل مع الذاكرة ومعقد جذر PCIe الرئيسي، ولكنها بالتأكيد يمكنها توفير دعم مخارج الإدخال / الإخراج المرتبط عادةً بالـ PCH ، مثل مخارج USB، وناقل الصوت، والتخزين، وخيوط PCIe، وما إلى ذلك. من المتوقع أن يتم بناؤها أيضاً على إحدى عقدات تصنيع TSMC. وأخيراً، فلا شك أن Intel ستلتزم بذاكرة DDR5 (ربما مع LPDDR5X) ودعم PCI-Express 5.0 كمزيج I / O للجيل الرابع عشر.

الجدير بالذكر هُنا أن إنتاج شرائح الاختبار الآن في أواخر عام 2021 سيعني أن معالجات "Meteor Lake" ستدخل في مرحلة الاختبار وأخذ العينات طوال عامي 2022 و 2023. وهو ما يعني أن هذه الرقائق قد تُطلق للعلن في أواخر عام 2023/2024. حيث سيتوافق هذا مع وقت وصول عقدتي Intel 4 و TSMC N3 إلى مرحلة الإنتاج الكمّي.