حتى مع تحذير بات جيلسنجر من الاستثمار في تايوان ، شركة Intel تتفاوض على تخصيص جزء من عملية تصنيع 3 نانومتر مع مسابك TSMC .

طبقاً لآخر التسريبات، يُقال إن إنتل تجري محادثات مع TSMC لتأمين وتخصيص جزء من إنتاج المسابك الخاصة بها لتلبية حاجات الشركة لتنفيذ خارطة طريقها الخاصة بالمُنتجات. وعلى غرار ذلك، ستُرسل الشركة وفدًا تنفيذيًا للقاء TSMC في وقت لاحق من هذا الشهر، لتأمين سعة المسابك لعقدة تصنيع السيليكون N3 (3 نانومتر) ، والتأكد من أن تخصيص Intel لا يتأثر بعملاء آخرين مثل Apple.

وتأتي هذه التحرّكات كجزء من إستراتيجية IDM 2.0 الخاصة بها، حيث قررت إنتل بناء منتجاتها بشكل أساسي كوحدات متعددة الشرائح، بحيث تأتي كل كتلة من هذه الشرائح مبنية على عقدة تصنيع سيليكون على النحو الأمثل لها. ولذلك تعمل الشركة حالياً على زيادة عقد المسابك المتطورة التي تتعاقد معها إلى أقصى حد ممكن، وذلك لكي تستخدم التكنولوجيا الأنسب لكل شريحة من شرائح المُعالجات الجديدة أكثر من غيرها. فعلى سبيل المثال، ستلعب تقنية تصنيع N3 دورًا حيويًا مع البلاطة أو الشريحة المنطقية/الحسابية في المنتجات الجديدة لعام 2023 ، حيث ستصل تقنية N3 إلى مرحلة الإنتاج الحرج في النصف الأول من العام.

وفي أخبار ذات صلة ، شدد الرئيس التنفيذي لشركة Intel ، بات غيلسنجر ، في حديثه في مؤتمر Fortune Brainstorm Tech، على أهمية مصممي الرقائق الأمريكيين للبحث عن تصنيع أشباه الموصلات في أمريكا، وحذر من الاستثمار في تايوان (دون تسمية TSMC). ويأتي ذلك في أعقاب حالة عدم اليقين الجيوسياسي في المنطقة.

وردًا على هذا البيان الصادر إلى DigiTimes، قلل مارك ليو، الرئيس التنفيذي لشركة TSMC من الأمر، وقال إن بيان جيلسنجر لا يستحق الرد عليه، وأنه لا يُشهر بزملائه في الصناعة. وعلى صعيد آخر، أعلنت كل من TSMC و Samsung عن استثمارات في مسبك بمليارات الدولارات في الولايات المتحدة، في محاولة لجعل سلاسل التوريد العالمية لأشباه الموصلات مرنة في مواجهة أي وضع أمني قد ينشأ في شرق آسيا.