ذكر أحدث تقرير من موقع Nikkei Asia أن شركة Micron العملاقة تعتزم استثمار 9.6 مليار دولار في مصنع جديد ضمن موقعها الحالي في اليابان، ومن المقرر أن يبدأ بناء المصنع في شهر مايو من العام المقبل، على أن تبدأ أولى مراحل الإنتاج في عام 2028.

ذاكرة HBM تهيمن من جديد بسبب الذكاء الاصطناعي

وفقًا لمعلومات إضافية، يتوقع أن تساهم وزارة الاقتصاد والتجارة والصناعة اليابانية بما يصل إلى 3.2 مليار دولار من الإعانات المالية لدعم المشروع. يمكن القول إن خطة اليابان في استقطاب هذا النوع من الاستثمارات يتوسع بالاتجاه الصحيح، إذ قدمت حوافز حكومية كبيرة لشركات صناعة الرقاقات الأجنبية كجزء من جهودها الأوسع لإعادة بناء القدرة المحلية على إنتاج أشباه الموصلات.

كما استفادت Micron بشكل كبير من هذا التوجه الواضح من قبل اليابان، ففي العام الماضي، كشفت الشركة عن خطط لإنتاج ذاكرة DRAM المستندة على تقنية EUV في هيروشيما، واستثمرت مبلغًا ماليًا ضخمًأ يصل إلى 3.2 مليار دولار من أموالها الخاصة. كما أدخلت أولى الأجهزة لإنتاج ذاكرة LPDDR5X باستخدام دقة تصنيع 1γ بعد أن خضعت للاختبار في شهر مايو من هذا العام.

لماذا هيروشيما بالذات؟

بالنسبة لـ Micron، توفر هيروشيما استقراراً سياسيًا وماليًا وهو أمر مهم في هكذا مشاريع طويلة الأمد، كما أن استعداد طوكيو لتمويل ثلث المشروع يزيل جزءاً من المخاطر المرتبطة بعملية بناء المصنع التي تستغرق عدة سنوات.

وتتجه كل من NVIDIA و AMD نحو ذاكرة HBM4 و HBM4E مما يجعلها الأكثر طلباً في سلسلة إمداد المعالجات الرسومية المخصصة للذكاء الاصطناعي، فكلتا الشركتين أصبحت تتطلب عدداً أكبر من الطبقات المكدسة. وإذا وصل مصنع Micron الجديد إلى مرحلة الإنتاج الكمي في بداية عام 2028، فإنه سيصل في الوقت الذي تُطرح فيه وحدات معالجة الرسوميات من الجيل التالي، هذا يعني خبر جيد لتلك الشركات.

بلغة الأرقام، تتصدر شركة SK Hynix السوق حاليًا فهي ملتزمة بتوريد معظم إنتاجها من ذواكر HBM و DRAM و NAND إلى NVIDIA حتى عام 2026.

فيما تعمل سامسونج على اللحاق بالركب عبر ذاكرة HBM3E ذات 12 طبقة. الأرقام تؤكد أيضًا – وفقًا لمصادر Nikkei Asia – أن Micron تتجه للاستحواذ على حوالي ربع سوق ذاكرة HBM بحصة تصل إلى 20% من إجمالي الشحنات، ومن المرجح أن يؤدي التوسع الجديد في هيروشيما إلى تغيير هذا التوازن بشكل أكبر بمجرد بدء عمليات الإنتاج.