
AMD تستعرض أول رقاقة من معالجات EPYC بدقة تصنيع 2 نانومتر
كشفت شركة AMD أنها حصلت على أول رقاقة سيليكون بدقة تصنيع 2 نانومتر، وهي رقاقة لمعالج EPYC من الجيل السادس المتوقع إطلاقه في العام المقبل. ويأتي إعلان AMD بعد أن أرجأت منافستها اللدودة Intel إطلاق معالج Xeon Clearwater Forest بدقة تصنيع 18A إلى النصف الأول من العام المقبل.
إعلان غير متوقع من AMD
تُعد رقاقة معالج Venice CCD أول تصميم لوحدة معالجة مركزية للحوسبة عالية الأداء (HPC) تصل إلى مرحلة التصميم النهائية باستخدام دقة تصنيع N2 الأحدث من شركة TSMC، مما يضعنا بصورة واضحة لخارطة طريق AMD والتي ستعتمد فيها على أحدث دقة تصنيع لإنتاج مختلف معالجاتها المركزية خاصة RYZEN، في حين لا نعلم بعد دقة التصنيع التي ستعتمد عليها مع معالجاتها الرسومية Radeon من الجيل التالي.
كما يضعنا هذا الإعلان المهم حول جاهزية دقة تصنيع N2 للبدء بمرحلة الإنتاج الخاصة بـ TSMC، فبعد الكثير من الشكوك والقلق حول صعوبة الوصول إلى هذه الدقة، يبدو أن مهندسو TSMC تجاوزا الصعاب والعوائق التقنية التي وقفت أمامهم لتطوير هذه الدقة لتكون AMD أول من يعتمد عليها في عالم المعالجات المركزية.
وتحدثت الدكتورة ليزا سو، الرئيسة التنفيذية لشركة AMD، قائلة: "لقد كانت TSMC شريكًا رئيسيًا لسنوات عديدة، وقد مكّن تعاوننا العميق مع فرق البحث والتطوير والتصنيع التابعة لها من تقديم منتجات متميزة لتدفع حدود الحوسبة عالية الأداء نحو الأمام".
من المتوقع أن يعتمد معالج EPYC Venice من الجيل السادس على معمارية Zen 6 المتوقع أن يصل للأسواق بحلول عام 2026. وفقًا للمعلومات المتداولة، ستعتمد وحدة المعالجة المركزية على بنية CCD المصنوعة باستخدام دقة تصنيع N2.
للأسف، لم تكشف AMD عن أي تفاصيل حول معالجات EPYC Venice أو بنية التصميم الداخلية لرقاقة CCD، مع أن البيان الصحفي للشركة يدعي أن رقاقة السيليكون قد وصلت لمرحلة التصميم النهائي، مما يعني أن هذا المعالج خاض مرحلة الإختبار الرئيسية وتجاوزها بنجاح.
كما كشفت AMD أنها نجحت في إنتاج معالج EPYC من الجيل الخامس بفضل منشأة TSMC Fab 21 في ولاية أريزونا. ونتيجة لذلك، يمكن الآن إنتاج بعض وحدات المعالجة المركزية EPYC من الجيل الحالي في أراضي الولايات المتحدة الأمريكية وهو أمر سيسعد الرئيس ترامب بكل التأكيد.
دقة تصنيع N2.. بماذا تتميز؟
تُعد تقنية N2 من TSMC أول دقة تصنيع تعتمد على ترانزستورات النانوشيت ذات البوابة المحيطة (GAA)، إذ تتوقع الشركة أن توفر تقنية التصنيع الخاصة بها زيادة بنسبة 15% في الأداء، مع زيادة قدرها 1.15 مرة في كثافة الترانزستور وانخفاضًا بنسبة 24% إلى 35% في معدل استهلاك الطاقة مقارنة بتقنية N3 ونقصد هنا دقة تصنيع 3 نانومتر.
هل يمكن لشركة AMD أن تتجاوز من جديد العملاق الأزرق في عام 2026؟ بعد أن حققت الشركة في عام 2025 أفضل المبيعات على صعيد المعالجات المركزية؟
?xml>