دقة تصنيع 7nm FinFET من GLOBALFOUNDRIES قادمة منتصف 2017
في التفرة الماضية سمعنا الكثير من الاخبار المخيبة لمن كان ينتظر دقة تصنيع 10nm كما حدث مؤخراً من إنتل التي على ما يبدو لن تقدم لنا أي جديد على صعيد دقة التصنيع مع اجيالها الثلاثة القادمة. إنتل ليست الوحيدة فكبرى شركات تصنيع أشباه الموصلات يبدو أنها تعاني من معوقات لتقديم دقة تصنيع 10nm بكفائتها المطلوبة, فأي دقة تخضع للعديد من الشروط والقوانين لكي يتم الإعلان أنها جاهزة لمرحلة الإنتاج المبدئي بعد ذلك وفي حالة كان الإنتاج سليم وجاهزة تنتقل الى مرحلة الإنتاج الكمي بكامل طاقتها.
حالياً يبدو أن دقة 10nm لم تصل حتى الى مرحلة الإنتاج المبدئي فهي كما ذكرنا تواجه معوقات لكي تصل الى الكفاءة المطلوبة. فبعد أن كانت التوقعات من الشركات ومنها إنتل بأن دقة 10nm قادمة في 2015, تأجل الأمر حتى عام 2018-2019 تقريباً. مع ذلك نحن لا نأخذ هذه الفترة الزمنية كمقياس ثابت فربما تحدث تطورات تجعلنا نشاهدها في نهاية العام القادم.
من جهة أخرى شركة GLOBALFOUNDRIES التي يبدو انها استغنت نوعاً ما عن دقة 10nm أعلنت مؤخراً عن خطط لتقديم دقة التصنيع الجديدة 7nm FinFET والتي ستعرض قمة الأداء من أجل العصر القادم من تطبيقات الحوسبة. هذه التقنية توفر قوة معالجة أكثر لمراكز البيانات، الشبكات، ومعالجات الموبايل الممتازة وتطبيقات التعلم العميق.
تقنية 7nm FinFET الجديدة لـGLOBALFOUNDRIES يتوقع لها أن تستوعب كثافة أكثر بمرتين من ناحية قدرة استيعاب كثافة الترانزيستور وتعزيز الأداء بنسبة 30% مقارنة مع ما تقدمه دقة تصنيع 16/14nm FinFET المتواجدة اليوم. المنصة مستندة على معمارية ترانزيستور FinFET القياسية في مجال الصناعة والليثوغرافي الضوئي سوف تسرع من مرحلة الإنتاج عبر إعادة استخدام هامة للأدوات والمعالجات من تقنية 14nm FinFET المستخدمة في مسبك Fab 8.
على جهة أخرى تخطط GLOBALFOUNDRIES للقيام باستثمار إضافي بملايين الدولارات في مسبك Fab 8 لتمكينه من تطوير وإنتاج 7nm FinFET. بالاعتماد على نجاح منصتها تقنية 14LPP، فإن تقنية 7nm FinFET متوجهة لتمكين تطبيقات الحوسبة التي تتطلب أداء فائق، من رقاقات SoCs موبايل فئة عليا إلى معالجات سيرفرات السحابية والبنى التحتية للشبكات. عروض الأداء العالي للشركة متكاملة بواسطة تقنيات 22FDXTM و 12FDXTM التي تم تطويرها لتلبية متطلبات طاقة فائقة الانخفاض للجيل التالي من الأجهزة الذكية المتصلة من حوسبة الموبايل واتصال 5G إلى مركبات ذاتية القيادة وذكاء اصطناعي.
إذا يمكن أن نقول أن دقة تصنيع GLOBALFOUNDRIES 7nm FinFET ستكون جاهزة لتصميم منتج استهلاكي في النصف الثاني لعام 2017، مع رفع مرحلة الإنتاج في أوائل عام 2018, كما نرى نعتقد ونكاد أن نجزم أن دقة 10nm لم تعد من أولويات GLOBALFOUNDRIES لتحصل محلها 7nm FinFET.
