تشارك ComputerBase المعلومات من Samsung Tech Day 2021، حيث كشفت الشركة الكورية الجنوبية عن خرائط طريقها المستقبلية وابتكاراتها فيما يتعلق بتقنية الذاكرة.

أولاً وقبل كل شيء، لا توجد شرائح أو صور من الحدث، لأن شروط وأحكام Samsung لا تسمح بالتقاط أي منها. الخبر السار هو أن ComputerBase لديها نظرة عامة جيدة على ما قاله التنفيذيون والفرق الهندسية في Samsung حتى نتمكن من القفز مباشرة إلى البيانات نفسها.

دخلت ذاكرة DDR5 السوق السائدة إلى جانب سلسلة Intel 12th Gen Core Alder Lake-S هذا الشهر، ولكن لن يتوقع المستهلكون أسعارًا عادلة على تقنية الذاكرة الجديدة هذه حتى عام 2023. من المؤكد أن الانتقال سيستغرق وقتًا طويلاً، حوالي عامين، كما تتوقع أبحاث MSI الخاصة.

وفي الوقت نفسه، سامسونج مستعدة للحديث عن خليفة لتقنية DDR5، والتي يقال إنها توفر ضعف السرعة وعرض النطاق الترددي. لم يتم إضفاء الطابع الرسمي على معيار DDR6 من قبل JEDEC، ومع ذلك، يجب أن تكون المواصفات حوالي 12800 ميجابت / ثانية افتراضيًا. تؤكد شركة Samsung أن التكنولوجيا في مرحلة التطوير المبكرة، وبالتالي من المرجح أن تتغير الأرقام التي تشاركها الشركة، ولكن تشير ComputerBase إلى أنه من المتوقع زيادة سرعة تشغيل ذاكرة DDR6 حتى 17000 ميجابت / ثانية.

يقال أن DDR6 ستحتوي على أربع قنوات لكل وحدة (الضعف مقارنة بـ DDR5)، وسوف يرتفع عدد بنوك الذاكرة إلى 64، أربع مرات مقارنة بمعيار DDR4.

كشفت Samsung أيضًا عن بعض المعلومات حول معايير ما بعد GDDR6. على ما يبدو، تعمل الشركة الآن على تطوير معيار GDDR6 + بسرعات تصل إلى 24 جيجابت في الثانية. هذا أعلى من 18 جيجابت في الثانية ليتم تقديمه مع معيار GDDR6 الحالي، والذي سيتم تصنيعه قريبًا باستخدام عملية 1z نانومتر من سامسونج.

طالع أيضًا: تخطط Qualcomm لنقل معمارية Arm إلى معالجاتها للحاسب الشخصي!

علاوة على ذلك، يوجد معيار GDDR7 أيضًا على خارطة الطريق ولكن من المفترض أنه لا يحتوي على أي تاريخ مرتبط به. تهدف هذه التقنية إلى زيادة عرض النطاق الترددي للذاكرة إلى 32 جيجابت في الثانية وتتميز "بميزة الحماية من الأخطاء في الوقت الفعلي"، ولكن هنا لم تكن Samsung مستعدة لتقديم مزيد من التفاصيل.

ذكرت ComputerBase أيضًا أن Samsung ستبدأ الإنتاج الضخم لـ HBM3 (High-Bandwidth-Memory Gen3) في الربع الثاني من عام 2022.